[发明专利]一种将金属电极转移至二维材料上的方法在审

专利信息
申请号: 202111420791.X 申请日: 2021-11-26
公开(公告)号: CN114203541A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 叶镭;林润峰;黄鑫宇;童磊;彭追日;李政;徐浪浪;缪向水 申请(专利权)人: 华中科技大学;湖北江城实验室
主分类号: H01L21/285 分类号: H01L21/285
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 汪洁丽
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属电极 转移 二维 材料 方法
【权利要求书】:

1.一种将金属电极转移至二维材料上的方法,其特征在于,包括:

获取待转移结构,所述待转移结构包括衬底、形成于衬底上的过渡层以及形成于过渡层上的金属电极图案;

对所述过渡层进行湿法刻蚀,去除未被金属电极图案覆盖的所述过渡层;

通过有机柔性材料将待转移结构中的金属电极图案从所述过渡层上整体粘起并贴合至目标结构中的二维材料上;

去除所述有机柔性材料,完成金属电极与二维材料的范德华接触。

2.如权利要求1所述的将金属电极转移至二维材料上的方法,其特征在于,所述获取待转移结构,包括:

提供转移衬底;

在所述转移衬底上生长过渡层;

在所述过渡层上形成图案化的光刻胶层;

蒸镀金属材料并去除光刻胶层,得到位于所述过渡层上的金属电极图案。

3.如权利要求1所述的将金属电极转移至二维材料上的方法,其特征在于,所述过渡层的高度范围为250nm~350nm。

4.如权利要求1所述的将金属电极转移至二维材料上的方法,其特征在于,所述金属电极图案包括底部的Cr和顶部的Au,其中Cr的高度范围为8nm~12nm,Au的高度范围为40nm~120nm。

5.如权利要求1所述的将金属电极转移至二维材料上的方法,其特征在于,对所述过渡层进行刻蚀,去除未被金属电极图案覆盖的所述过渡层以及部分被所述金属电极图案覆盖的过渡层。

6.如权利要求1所述的将金属电极转移至二维材料上的方法,其特征在于,所述有机柔性材料包括柔性支撑层和位于所述柔性支撑层上的柔性黏附层,所述有机柔性材料通过所述柔性黏附层粘起金属电极图案。

7.如权利要求6所述的将金属电极转移至二维材料上的方法,其特征在于,所述柔性支撑层包括PDMS或PMMA,所述柔性黏附层包括PVA;

去除所述有机柔性材料包括:

加热所述目标结构,将所述柔性支撑层从所述目标结构上撕离;

将去除柔性支撑层的目标结构置于溶液中溶解去除所述柔性黏附层。

8.如权利要求1所述的将金属电极转移至二维材料上的方法,其特征在于,通过有机柔性材料将待转移结构中的金属电极图案从所述过渡层上整体粘起后,通过转移台上的对准组件对金属电极图案和目标结构进行对准贴合。

9.如权利要求1所述的将金属电极转移至二维材料上的方法,其特征在于,所述过渡层为氧化层。

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