[发明专利]一种碳化硅腐蚀设备在审
申请号: | 202111420808.1 | 申请日: | 2021-11-26 |
公开(公告)号: | CN114284188A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 皮孝东;李佳君;杨德仁;罗昊 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/04;H01L21/67;B01D5/00;B01F33/40 |
代理公司: | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人: | 盛影影 |
地址: | 310012 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 腐蚀 设备 | ||
1.一种碳化硅腐蚀设备,其特征在于,包括:
炉体;
腐蚀室,所述腐蚀室设于所述炉体内;
转移室,所述转移室设于所述腐蚀室上方,所述转移室包括炉盖和隔板,所述炉盖设于所述炉体上,所述炉盖侧壁上设有进样门,所述隔板滑动设于所述转移室与腐蚀室相连通之处,所述隔板用于转移室与腐蚀室之间的连通与隔开;
旋转样品机构,所述旋转样品机构活动设于所述转移室内;
样品承载架,所述样品承载架设于所述腐蚀室内,所述样品承载架与所述旋转样品机构相连接,所述旋转样品机构用于带动样品承载架在腐蚀室和转移室之间做上下移动。
2.根据权利要求1所述的碳化硅腐蚀设备,其特征在于,还包括预热室,所述预热室设于所述炉体内,所述预热室与所述腐蚀室之间通过进液管相连通。
3.根据权利要求2所述的碳化硅腐蚀设备,其特征在于,所述预热室包括预热坩埚、第二加热元件、第二热电偶和预热盖,所述第二加热元件设于所述预热坩埚外侧,所述第二热电偶设于所述预热坩埚内,所述预热盖设于所述预热坩埚的上方。
4.根据权利要求3所述的碳化硅腐蚀设备,其特征在于,所述预热坩埚底部设有出液口,所述进液管与所述出液口相连通,所述进液管上设有进液阀。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的碳化硅腐蚀设备,其特征在于,所述腐蚀室包括腐蚀坩埚、第一加热元件、第一热电偶和气流搅拌装置,所述样品承载架设于所述腐蚀坩埚内,所述第一加热元件设于所述腐蚀坩埚外侧,所述第一热电偶设于所述腐蚀坩埚内,所述气流搅拌装置设于所述腐蚀坩埚底部,所述第一热电偶位于所述气流搅拌装置上方。
6.根据权利要求5所述的碳化硅腐蚀设备,其特征在于,气流搅拌装置包括曝气管和进气管,所述进气管设于所述腐蚀坩埚内,所述进气管与所述曝气管相连通,所述曝气管上开设有若干出气孔,若干个出气孔均位于同一直线上,所述出气孔的中心线与所述曝气管轴心线之间的夹角为35-55度。
7.根据权利要求5所述的碳化硅腐蚀设备,其特征在于,所述炉体底部设有排液管,所述排液管与所述腐蚀坩埚相连通,所述排液管上设有排液阀。
8.根据权利要求1所述的碳化硅腐蚀设备,其特征在于,所述炉盖上设有出气管,所述炉盖内壁上设有圆顶结构,所述圆顶结构的边缘设有凹槽,所述凹槽与所述出气管相连通。
9.根据权利要求1所述的碳化硅腐蚀设备,其特征在于,所述隔板采用保温材料制成。
10.根据权利要求1所述的碳化硅腐蚀设备,其特征在于,所述炉体外侧包覆有保温层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造