[发明专利]具有高功率密度的碳化硅模块

权利要求书

1.具有高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，包括基板（1）、在基板（1）上布局的电路铜层（2）以及设置于所述电路铜层（2）上的半导体功率电子元件（3）；

所述半导体功率电子元件（3）包括上桥功率芯片组（311）、下桥功率芯片组（312）、电极探针（32）及若干控制极电阻（33）；

所述上桥功率芯片组（311）包括八个并联设置的半导体功率芯片（31），所述下桥功率芯片组（312）包括八个并联设置的半导体功率芯片（31）。

2.根据权利要求1所述的具有高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，所述电路铜层（2）包括用于连接上桥功率芯片组（311）的上桥半导体功率芯片导电区（211）、用于连接下桥功率芯片组（312）的下桥半导体功率芯片导电区（212）、用于连接电极探针（32）的电极探针导电区（22）、用于连接控制极电阻（33）的控制极电阻导电区（23），以及输入电极区（4）和输出电极区（5），所述上桥半导体功率芯片导电区（211）、下桥半导体功率芯片导电区（212）、电极探针导电区（22）、控制极电阻导电区（23）、输入电极区（4）和输出电极区（5）相互之间独立设置。

3.根据权利要求2所述的具有高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，所述上桥功率芯片组（311）上的八个并联设置的半导体功率芯片（31）在上桥半导体功率芯片导电区（211）上以四个为一组成田字形对称分布，形成第一上桥功率芯片组（3111）和第二上桥功率芯片组（3112）；所述下桥功率芯片组（312）上的八个并联设置的半导体功率芯片（31）在下桥半导体功率芯片导电区（212）上以四个为一组成田字形对称分布，形成第一下桥功率芯片组（3121）和第二下桥功率芯片组（3122）。

4.根据权利要求3所述的具有高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，所述第一上桥功率芯片组（3111）、所述第二上桥功率芯片组（3112）、所述第一下桥功率芯片组（3121）及第二下桥功率芯片组（3122）成田字形对称分布。

5.根据权利要求2所述的具有高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，包括两个所述控制极电阻导电区（23），一所述控制极电阻导电区（23）分别位于所述第一上桥功率芯片组（3111）和所述第二上桥功率芯片组（3112）之间，一所述控制极电阻导电区（23）分别位于所述第一下桥功率芯片组（3121）和第二下桥功率芯片组（3122）之间，两个所述控制极电阻导电区（23）上分别连接两个控制极电阻（33）。

6.根据权利要求5所述的具有高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，所述电极探针（32）包括第一电极探针组（321）及第二电极探针组（322），所述第一电极探针组（321）包括一个第一电极探针（3211）和一个第二电极探针（3212），所述第二电极探针组（322）包括两个第三电极探针（3221）和一个第四电极探针（3222）。

7.根据权利要求6所述的具有高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，所述电极探针导电区（22）包括用于连接所述第一电极探针（3211）的第一电极探针导电区（221）、用于连接所述第二电极探针（3212）的第二电极探针导电区（222）、用于连接所述第三电极探针（3221）的第三电极探针导电区（223），及用于连接所述第四电极探针（3222）的第四电极探针导电区（224），所述第一电极探针导电区（221）、第二电极探针导电区（222）、第三电极探针导电区（223）及第四电极探针导电区（224）相互独立设置。

8.根据权利要求6所述的具有高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，所述第一电极探针组（321）及第二电极探针组（322）位于其中一所述控制极电阻导电区（23）一侧，所述第三电极探针（3221）和一个第四电极探针（3222）位于另一所述控制极电阻导电区（23）一侧。