[发明专利]一种用于变压器隔离的驱动电路

说明书

本申请涉及开关电源技术领域，尤其是一种用于变压器隔离的驱动电路，其初级驱动模块，用于匹配电压，提高电路的驱动能力，变压器隔离模块，用于提高驱动电路的安全性，次级驱动模块，用于抑制尖峰电压，快速放电模块，用于实现驱动电路的放电，初级驱动模块与外界的电源连接，初级驱动模块的一端与整流电路的控制芯片连接，初级驱动模块的另一端与变压器隔离模块的输入端连接，变压器隔离模块的输出端与次级驱动模块连接，次级驱动模块的输出端与快速放电模块的输入端连接，快速放电模块的输出端与整流电路的MOS管连接；本申请具有提高驱动电路的工作稳定性的优点。

技术领域

本申请涉及开关电源技术领域，尤其是涉及一种用于变压器隔离的驱动电路。

背景技术

目前，一般用于大功率的开关电源拓扑有半桥、全桥以及一些相关的软开关拓扑，而这些拓扑结构的MOSFET的驱动方式主要包括驱动芯片自举驱动、变压器隔离驱动、光隔离驱动等。

相关技术中，参照图1，一般传统的半桥和全桥的带负压驱动电路基本都采用二极管或者PNP三极管快速放电为主。

针对上述相关技术，发明人认为存在以下问题：传统的半桥和全桥的带负压驱动电路在死区时间内存在上冲尖峰超过MOSFET的驱动门槛电压的风险，这种风险容易导致与驱动电路连接的整流电路的上MOS管和下管直通而炸机。

发明内容

为了提高驱动电路的工作稳定性，本申请提供一种用于变压器隔离的驱动电路。

本申请提供的一种用于变压器隔离的驱动电路采用如下的技术方案：

一种用于变压器隔离的驱动电路，包括：

初级驱动模块，用于匹配电压，提高电路的驱动能力；

变压器隔离模块，用于提高驱动电路的安全性；

次级驱动模块，用于抑制尖峰电压；

快速放电模块，用于实现驱动电路的放电；

所述初级驱动模块与外界的电源连接，所述初级驱动模块的一端与整流电路的控制芯片连接，所述初级驱动模块的另一端与所述变压器隔离模块的输入端连接，所述变压器隔离模块的输出端与所述次级驱动模块连接，所述次级驱动模块的输出端与所述快速放电模块的输入端连接，所述快速放电模块的输出端与整流电路的MOS管连接。

通过采用上述技术方案，初级驱动模块的一端与整流电路的控制芯片连接，初级驱动模块将整流电路的控制芯片的引脚电流进行放大，此外，初级驱动模块输出电压至变压器隔离模块，变压器隔离模块将电压进行压后输出至次级驱动模块，次级驱动模块吸收尖峰电压，再将电压通过快速放电模块的输出端输出至整流电路的MOS管内，驱动整流电路进行整流工作；通过次级驱动电路抑制尖峰电压，以提高驱动电路的工作稳定性。

优选的，所述次级驱动模块包括驱动MOS管，所述驱动MOS管的栅极与所述变压器隔离模块的输出端连接，所述驱动MOS管的漏极与所述快速放电模块连接。

通过采用上述技术方案，通过设置驱动MOS管，驱动MOS管作为控制开关，延长了驱动电路的开通或关断的时长，进而延长了驱动电路的死区时间，有效地抑制尖峰电压。

优选的，所述次级驱动模块还包括驱动电阻，所述驱动电阻接入所述驱动MOS管的栅极。

通过采用上述技术方案，驱动电阻与驱动MOS管内部的电容组合形成RC滤波电路，以进一步吸收电压尖峰。

优选的，所述初级驱动模块包括若干个图腾柱电路，所述图腾柱电路的输入端与整流电路的控制芯片连接，所述图腾柱电路的输出端与变压器隔离模块的输入端连接。

通过采用上述技术方案，图腾柱电路利用两个MOS管构成推挽输出，以匹配电压且能提高整流电路的控制芯片的驱动能力。

优选的，所述图腾柱电路的数量设置为两组或四组。