[发明专利]高阻硅外延片生长方法及生长设备有效
| 申请号： | 202111423875.9 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114395797B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 王群;龚逸品;茅艳琳;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B25/08;C30B25/18;C30B29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高阻硅 外延 生长 方法 设备 | ||
1.一种高阻硅外延片生长方法，其特征在于，所述高阻硅外延片生长方法包括：
提供一高阻硅衬底；
对所述高阻硅衬底依次进行F等离子体处理与N等离子体处理，以在所述高阻硅衬底表面形成保护层，所述保护层避免Al原子或Ga原子掺杂进高阻硅衬底；
在所述高阻硅衬底上依次生长AlN缓冲层、GaN外延层及PN半导体。
2.根据权利要求1所述的高阻硅外延片生长方法，其特征在于，在100～500℃的条件下对所述高阻硅衬底依次进行F等离子体处理与N等离子体处理。
3.根据权利要求1所述的高阻硅外延片生长方法，其特征在于，对所述高阻硅衬底进行F等离子体处理的功率为50～300W。
4.根据权利要求3所述的高阻硅外延片生长方法，其特征在于，对所述高阻硅衬底进行F等离子体处理的时长为60～200s。
5.根据权利要求1～4任一项所述的高阻硅外延片生长方法，其特征在于，对所述高阻硅衬底进行N等离子体处理的功率为100～400W。
6.根据权利要求5所述的高阻硅外延片生长方法，其特征在于，对所述高阻硅衬底进行N等离子体处理的时长为150～500s。
7.根据权利要求1～4任一项所述的高阻硅外延片生长方法，其特征在于，所述AlN缓冲层溅射得到，所述AlN缓冲层的溅射温度为100～400℃。
8.根据权利要求7所述的高阻硅外延片生长方法，其特征在于，所述AlN缓冲层在真空度10-8-10-6Pa的环境下生长。
9.根据权利要求1～4任一项所述的高阻硅外延片生长方法，其特征在于，所述高阻硅衬底的处理环境与所述AlN缓冲层的生长压力均低于大气标准。
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