[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202111426583.0 | 申请日: | 2021-11-25 |
公开(公告)号: | CN114583922A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 羽生洋;山本晃央 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H03K17/082 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其具有连接在半导体开关元件的正电极以及负电极之间的检测电路,
所述检测电路具有:
开关以及具有第1电阻值的第1电阻元件,它们串联连接在所述正电极以及第1节点之间;以及
具有第2电阻值的第2电阻元件,其连接在所述第1节点与所述负电极之间,
所述第1电阻元件以及所述第2电阻元件的至少一者由可变电阻元件构成,
所述正电极经由其它半导体开关元件而与供给第1电位的节点连接,并且,所述负电极与供给比所述第1电位低的第2电位的节点连接,
所述半导体装置还具有检测电压产生电路,该检测电压产生电路在设置于所述半导体开关元件的接通期间中的所述开关的接通期间,基于所述第1节点的电压而输出具有依赖于所述正电极以及所述负电极之间的端子间电压的电压的电压信号,
所述开关构成为,具有在断开期间至少将所述第1电位以及所述第2电位的电位差切断的耐压。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述检测电压产生电路具有电压比较电路,该电压比较电路将与所述第1节点的电压以及第1直流电压的比较结果相应的数字信号即检测信号作为所述电压信号而输出,
所述第1直流电压、所述第1及第2电阻值被确定为,在所述端子间电压比预先确定的判定电压高时,所述第1节点的电压比所述第1直流电压高。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,
所述第1直流电压由可变直流电源供给。
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置,其中,
该半导体装置还具有:
驱动电路,其根据对所述半导体开关元件的通断进行控制的控制信号而生成输入至所述半导体开关元件的控制电极的栅极信号;以及
保护电路,其用于与所述检测信号相应地将所述半导体开关元件断开,
所述检测信号当在所述开关的断开期间以及所述开关的接通期间中所述端子间电压小于或等于所述判定电压时被设定为第1电平,另一方面,当在所述开关的接通期间中所述端子间电压比所述判定电压高时被设定为第2电平,
所述保护电路以在所述检测信号被设定为所述第2电平时将所述半导体开关元件固定为断开的方式使所述驱动电路进行动作。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述检测电压产生电路具有将遵循于所述第1节点的电压的模拟电压作为所述电压信号而输出的电压跟随电路。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,其中,
还具有开关控制电路,该开关控制电路用于在所述半导体开关元件导通时将所述开关比该半导体开关元件的导通更晚地接通,
所述开关由NMOS晶体管构成。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置,其中,
所述开关以及所述第1电阻元件经由第2节点而串联连接在所述正电极以及第1节点之间,
所述半导体装置还具有钳位电路,该钳位电路与所述第2节点连接,该钳位电路以使得所述第2节点的电压不超过预先确定的上限电压的方式进行动作。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置,其中,
所述半导体开关元件是MOSFET。
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