[发明专利]金属氧化物半导体器件与其制作方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：

半导体基体，其上表面定义有源区与多个栅极区，每一所述有源区被所述多个栅极区环绕，并且所述多个栅极区是互相交错而形成重叠的栅极交汇区；

场氧化层，局部地覆盖所述栅极交汇区；

第一JFET注入区，通过注入离子至所述半导体基体的上表面所形成，并且位于所述栅极交汇区，其中，所述第一JFET注入区是环绕所述场氧化层在所述栅极交汇区的投影区的配置；以及

第二JFET注入区，通过注入离子至所述半导体基体的上表面所形成，并且位于所述多个栅极区中。

2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述场氧化层位于所述栅极交汇区的中间位置。

3.如权利要求1所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一JFET区与所述第二JFET区的离子掺杂浓度大于所述半导体基体中的离子掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括栅极电极，设置于所述多个栅极区与所述栅极交汇区之上。

5.如权利要求4所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述栅极电极包含形成于所述多个栅极区与所述栅极交汇区之上的栅极介质层，与堆叠于所述栅极介质层上的栅极电极层。

6.如权利要求4所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括第二导电类型源区与第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区位于于所述多个栅极区两侧，所述第二导电类型源区位于所述有源区与所述多个栅极区之间、所述有源区与所述栅极交汇区之间，并且所述第二导电类型源区与所述栅极电极的下表面接触。

7.如权利要求6所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括第二导电类型的接触体，设置于所述第二导电类型阱区并且外露。

8.如权利要求7所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括源极电极，堆叠于所述接触体的上表面，并且所述接触体与所述第二导电类型阱区同时接触所述源极电极的下表面。

9.如权利要求7所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括漏极电极，位于所述半导体基体的下表面。

10.一种金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一导电类型的半导体基体；在所述半导体基体上表面形成场氧化层，并且蚀刻所述场氧化层，使Ring注入区外露，并覆盖预定作为元胞区的区域；其中，所述元胞区定义有源区与多个栅极区，所述有源区是被所述多个栅极区环绕，并且所述多个栅极区是互相交错而形成重叠的栅极交汇区；

对所述Ring注入区的所述半导体基体实施Ring注入并推结形成Ring注入区，推结后继续做所述场氧化层生长；

再次对所述场氧化层进行蚀刻，使场氧化层局部地覆盖栅极交汇区；其中，所述栅极交汇区中未被覆盖的部分环绕所述场氧化层；以及

通过所述场氧化层作为光刻板，对所述栅极区与所述栅极交汇区进行JFET注入处理，扩散形成所述位于所述栅极交汇区的第一JFET注入区，与位于所述多个栅极区的第二JFET注入区；其中，所述第一JFET注入区是环绕所述场氧化层在所述栅极交汇区的投影区的配置。

11.如权利要求10所述的金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括于所述多个栅极区与所述栅极交汇区之上形成栅极电极。

12.如权利要求11所述的金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述栅极电极的步骤包括：

于所述多个栅极区与所述栅极交汇区之上形成栅极介质层；以及

在所述栅极介质层上堆叠栅极电极层，以构成所述栅极电极。