[发明专利]高压集成电路在审

专利信息
申请号: 202111431408.0 申请日: 2021-11-29
公开(公告)号: CN114142430A 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 冯宇翔;潘志坚;谢荣才;张土明;左安超;黄浩 申请(专利权)人: 广东汇芯半导体有限公司
主分类号: H02H3/24 分类号: H02H3/24;H02H3/02
代理公司: 深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙) 44719 代理人: 陈建昌
地址: 528000 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 高压 集成电路
【权利要求书】:

1.一种高压集成电路,其特征在于,所述高压集成电路包括:

欠压保护电路和故障逻辑控制电路;

所述欠压保护电路包括比较器、基准电源、第一电阻、第一接口、第二接口和第一可变电阻;

其中,所述比较器的输出端连接于所述故障逻辑控制电路的输入端,所述故障逻辑控制电路的输出端用于连接至外接处理器;所述基准电源的正极端连接所述比较器的第一输入端口,所述基准电源的负极端接地,所述比较器的第二输入端口通过所述第一电阻连接至欠压监测点;所述比较器的第二输入端口还连接于所述第一接口,所述第二接口接地;所述第一可变电阻的第一端连接所述第一接口,所述第一可变电阻的第二端连接所述第二接口。

2.根据权利要求1所述的高压集成电路,其特征在于,所述高压集成电路还包括第一开关管、第二电阻和第三接口,所述第一开关管的控制端连接于所述故障逻辑控制电路,所述第二接口通过所述第一开关管接地,所述第三接口接地,所述第二电阻的第一端连接所述第二接口,所述第二电阻的第二端连接所述第三接口。

3.根据权利要求2所述的高压集成电路,其特征在于,所述第二电阻为可变电阻。

4.根据权利要求2所述的高压集成电路,其特征在于,所述第一开关管包括门极可关断晶闸管、电力晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管中的任一种。

5.一种高压集成电路,其特征在于,所述高压集成电路包括:

欠压保护电路和故障逻辑控制电路;

所述欠压保护电路包括比较器、恒流电源、第三电阻、第四电阻、第四接口、第五接口和第二可变电阻;

其中,所述比较器的输出端连接于所述故障逻辑控制电路的输入端,所述故障逻辑控制电路的输出端用于连接至外接处理器;所述恒流电源的输出端连接至所述比较器的第一输入端口,所述恒流电源的输出端还连接至所述第四接口,所述第五接口接地,所述第三电阻的第一端连接至欠压监测点,所述第三电阻的第二端连接至所述比较器的第二输入端口,所述第三电阻的第二端还通过所述第四电阻接地。

6.根据权利要求5所述的高压集成电路,其特征在于,所述高压集成电路还包括MOS管和第五电阻,所述MOS管的栅极连接于所述故障逻辑控制电路,所述第四电阻的第二端通过所述第五电阻接地,所述MOS管和所述第五电阻并联连接。

7.根据权利要求6所述的高压集成电路,其特征在于,所述第三电阻、所述第四电阻或者所述第五电阻中的至少一个为可变电阻。

8.一种高压集成电路,其特征在于,所述高压集成电路包括:

欠压保护电路和故障逻辑控制电路;

所述欠压保护电路包括比较器、基准电源、第六电阻、第七电阻、译码器和第二开关管;

其中,所述比较器的输出端连接于所述故障逻辑控制电路的输入端,所述故障逻辑控制电路的输出端用于连接至外接处理器;所述比较器的第一输入端口连接所述基准电源的正极端,所述基准电源的负极端接地;所述比较器的第二输入端口通过所述第六电阻连接至欠压监测点,所述比较器的第二输入端口还连接至所述第七电阻的第一端,所述第七电阻的第二端接地;所述译码器的输入端用于连接至外接处理器,所述译码器的输出端连接所述第二开关管的控制端,所述第二开关管和所述第七电阻并联。

9.根据权利要求8所述的高压集成电路,其特征在于,所述欠压保护电路包括多组所述第七电阻和所述第二开关管,各组的所述第七电阻串联连接,每组中的所述第二开关管和所述第七电阻并联连接。

10.根据权利要求8所述的高压集成电路,其特征在于,所述高压集成电路还包括MOS管和第八电阻,所述MOS管的栅极连接于所述故障逻辑控制电路,所述第七电阻通过所述第八电阻接地,所述MOS管和所述第八电阻并联连接。

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