[发明专利]一种钨基柱状晶高熵合金面对等离子体材料及其制备方法在审
申请号: | 202111432526.3 | 申请日: | 2021-11-29 |
公开(公告)号: | CN114150206A | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 袁悦;孙钰涵;王诗维;程龙;吕广宏 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | C22C30/00 | 分类号: | C22C30/00;C23C16/08;C22C1/02;G21B1/11 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基柱 状晶高熵 合金 面对 等离子体 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种钨基柱状晶高熵合金面对等离子体材料,其特征在于,具有(001)取向的柱状晶粒,晶粒尺寸为10-70μm。各元素在高熵合金中所占原子百分比范围为:W 20~35%,Ta 10~25%,Cr 10~25%,V 10~20%,Ti 5~20%,Y 5~20%。
2.制备如权利要求1所述的方法,其特征在于:采用化学气相沉积、真空感应熔炼或电子束熔炼的方法,
采用化学气相沉积方法的制备步骤为:将气态WF6、TaF5、CrF3、VF4、TiF3、YF3按照所需元素比例充分混合得到氟化气体,采用轧制钨板作为沉积基体,通电加热基体至600-1000℃,将上述混合氟化气体与与氢气体积比1:2.0-2.28的比例混合通入反应室;反应产物沉积在轧制钨板上,沉积至所需厚度将所得的柱状晶高熵合金冷却取出;
采用真空感应熔炼方法的制备步骤为:将纯度99.9%、平均粒径1μm的W、Ta粉末按照所需比例充分混合后放入真空感应炉坩埚中,纯度99.9%、平均粒径1μm的V、Cr、Ti、Y粉末按照所需比例混合后投入加料仓中;装料完毕后,开始抽真空,当真空室压强为0.6-1.0Pa时,提升熔炼炉功率至15-20kW,待熔池表面平静,无气泡逸出后继续提升功率至17-22kW,期间保持装置真空度低于50Pa;30-60min后,掺入加料仓中的V、Cr、Ti、Y粉末,待补加粉末发红以后,增加功率至20-25kW;控制真空度低于100Pa,在真空环境下保持50-70min;炉料熔清后,立即加入块状石墨进行碳氧反应,加入后提升功率至25-30kW搅拌1-2min;将坩埚中的金属液体浇注到模具中后进行冷却脱模;
采用电子束熔炼方法的制备步骤为:将纯度99.9%、平均粒径1μm的W、Ta、V、Cr、Ti、Y粉末材料按照所需比例得到合金与碳粉均匀混合,其中合金粉末的质量分数为98.5%,碳粉质量分数为1.5%;将合金与碳粉的混合粉末投入高温高压烧结炉中,在1800-2000℃、24-30MPa条件下烧结1-2h,得到预成型块体材料;后将预成型的块体材料放置在电子束熔炼炉中,开启循环水冷却系统和真空系统,真空度为1-3×10-3Pa时开启电子枪,将功率增加至15-20kW,并调整电子束束斑均匀扫描在材料表面;至材料完全熔化后,将电子束功率增加至18-23kW,30-60min后关闭电子枪,待冷却后将材料取出。
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