[发明专利]移动式物理溅射成膜设备及多层膜的制备工艺

权利要求书

1.一种移动式物理溅射成膜设备，其特征在于，包括：

第一真空腔，设置用以载入基材；

第一沉积腔，设置用以使所述基材在所述第一沉积腔内进行溅射工艺；

第二沉积腔，设置用以使所述基材在所述第二沉积腔内进行溅射工艺；

间隔真空腔，设置于所述第一沉积腔与所述第二沉积腔之间，用以将所述基材通过所述间隔真空腔从所述第一沉积腔传输至所述第二沉积腔；

其中，所述第一沉积腔的气压高于所述间隔真空腔的气压，所述第二沉积腔的气压高于所述间隔真空腔的气压；所述间隔真空腔用以阻断所述第一沉积腔与所述第二沉积腔之间的气流传播。

2.根据权利要求1所述的移动式物理溅射成膜设备，其特征在于，所述第一真空腔包括第一预真空腔和第一高真空腔，所述第一预真空腔的气压高于所述第一高真空腔；

所述第一高真空腔设置于所述第一预真空腔与所述第一沉积腔之间。

3.根据权利要求1所述的移动式物理溅射成膜设备，其特征在于，所述第一沉积腔和所述第二沉积腔内分别设置有溅射靶，用于向产品基材上溅射沉积材料。

4.根据权利要求1所述的移动式物理溅射成膜设备，其特征在于，所述间隔真空腔内设置有多组真空分子泵；所述间隔真空腔内通过所述真空分子泵的抽气速度来控制气压。

5.根据权利要求1或2所述的移动式物理溅射成膜设备，其特征在于，所述移动式物理溅射成膜设备还包括：第二真空腔，设置用以将所述基材排出。

6.根据权利要求5所述的移动式物理溅射成膜设备，其特征在于，所述第二真空腔包括第二高真空腔和第二预真空腔，所述第二高真空腔的气压小于所述第二预真空腔；

所述第二高真空腔设置于所述第二沉积腔与所述第二预真空腔之间。

7.根据权利要求5所述的移动式物理溅射成膜设备，其特征在于，所述移动式物理溅射成膜设备还包括：传输单元，设置用以传输所述基材；

所述传输单元使得所述基材在所述第一真空腔、第一沉积腔、间隔真空腔、第二沉积腔、第二真空腔之间依次传输。

8.根据权利要求6所述的移动式物理溅射成膜设备，其特征在于，所述第一预真空腔的气压为(1～3)×10^-2hPa；和/或

所述第一高真空腔的气压为(4～6)×10^-6hPa；和/或

所述第二高真空腔的气压为(4～6)×10^-6hPa；和/或

所述第二预真空腔的气压为(1～3)×10^-2hPa。

9.一种多层膜制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：

将一基材输送至第一沉积腔内进行第一次溅射，在所述基材上形成第一层膜层；

接着，将所述基材输送至惰性气体环境的间隔真空腔内，所述间隔真空腔内的气压低于所述第一沉积腔；

后再将所述基材输送至第二沉积腔内进行第二次溅射，在所述基材上形成第二层膜层，即所述基材上形成了多层膜。

10.根据权利要求9所述的多层膜制备工艺，其特征在于，所述基材输送至所述第一沉积腔前还依次经过第一预真空腔和第一高真空腔，用以阶梯式降低环境的气压；其中，所述第一高真空腔小于所述第一沉积腔的气压；

所述基材在所述第二沉积腔形成多层膜后，依次经过所述第二高真空腔和第二预真空腔，用以阶梯式升高环境气压；其中，所述第二高真空腔小于所述第二沉积腔的气压。

11.根据权利要求10所述的多层膜制备工艺，其特征在于，所述第一预真空腔的气压(1～3)×10^-2hPa，所述第一高真空腔的气压为(4～6)×10^-6hPa；和/或

第二预真空腔的气压(1～3)×10^-2hPa，所述第二高真空腔的气压为(4～6)×10^-6hPa。