[发明专利]一种高纯氮化铝粉的制备方法有效
申请号: | 202111434705.0 | 申请日: | 2021-11-29 |
公开(公告)号: | CN114031050B | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 刘晓波;张凡;盛锦华;张贝贝;郭金池;李文静;杨洁颖;张昊 | 申请(专利权)人: | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
主分类号: | C01B21/064 | 分类号: | C01B21/064 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人: | 李文涛 |
地址: | 100074 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高纯 氮化 制备 方法 | ||
本发明公开一种高纯氮化铝粉的制备方法,属于陶瓷材料领域,通过将一组氧化铝粉、石墨粉、助剂和乙醇混合,经球磨,烘干,氮气氛围下高温烧结得到半成品;再将该半成品与另一组的氧化铝粉、助剂和乙醇混合,经球磨,烘干,氮气氛围下高温烧结,再经过氢化炉高温烧结,得到高纯氮化铝粉体。本发明制备氮化铝粉体纯度高,氧含量、碳含量低,粒径小且可控。
技术领域
本发明涉及一种高纯氮化铝粉体的制备方法,属于陶瓷材料领域
背景技术
纯度是影响氮化铝粉体导热性能的最关键因素。氮化铝粉体中的杂质会对其导热系数产生不利影响,其中主要的杂质是晶格氧。氮化铝对氧有很强的亲和力,颗粒粒径小,形状不规则,比表面积大,容易发生氧化反应提高粉体的氧含量。氮化铝粉体颗粒表面的氧会固溶进入氮化铝晶格,氧原子与氮原子非等价置换形成铝空位,使声子的散射截面增大,大幅损害热导率。氧杂质含量是制备高纯AlN粉体的关键技术难题。
发明内容
为解决氮化铝粉体制备过程的氧杂质问题,本发明提供一种高纯氮化铝粉的制备方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:
一种高纯氮化铝粉的制备方法,包括以下步骤:
1)将氧化铝粉A、石墨粉、助剂A、乙醇混合后,球磨得到固液混合物A;
2)将固液混合物A倒入石墨坩埚中,待乙醇完全挥发后,转移至90~150℃的烘箱中处理1~10h;
3)将处理完毕后的石墨坩埚及内部物转移至真空炉中,在氮气保护下于1400~1800℃的温度下处理2~20h后,冷却至室温,取出得到半成品X;
4)将半成品X与氧化铝粉B、助剂B、乙醇混合后,球磨得到固液混合物B;
5)将固液混合物B倒入石墨坩埚中,待乙醇完全挥发后,转移至90~150℃的烘箱中处理1~10h;
6)将处理完毕后的石墨坩埚及内部物转移至真空炉中,在氮气保护下于1400~1800℃的温度下处理2~20h后,冷却至室温,取出得到半成品Y;
7)在氮气或非放射性稀有气体保护下,将半成品Y转移至氢化炉中,再在1200~1600℃的混合气氛下处理1~10h后,降至室温取出并密封保存,即得到高纯氮化铝粉体。
进一步地,氧化铝粉A、氧化铝粉B规格相同,粒径D50<1.5μm,纯度不低于99.5%。氧化铝的纯度在一定程度上决定了产物氮化铝的纯度,原因实质上是氧化铝原位生成氮化铝,即一个氧化铝颗粒对应原位生成一个氮化铝颗粒,因此氧化铝粉的粒径及分布与氮化铝的粒径及分布直接相关,为获取粒径小且均匀的氮化铝粉,必须要对氧化铝粉的粒径进行控制。
进一步地,助剂A和助剂B为醇溶性有机高分子,分子内不含除C、H、O、N之外的其他元素,避免引入其他难以去除的金属杂质。
进一步地,步骤1)中助剂A质量含量不超氧化铝粉A和石墨粉总质量的5%,让氧化铝粉与石墨粉不散开,成块存在。
进一步地,石墨粉的纯度不低于99.5%,石墨粉的纯度在一定程度上决定了产物氮化铝的纯度。
进一步地,石墨粉的摩尔量为M,氧化铝粉A摩尔量为N,M:N的比例为(6~15):1。在该比例下,氧化铝粉体可以与石墨生成氮化铝,该比例的石墨粉可以使得生成的氮化铝粉被石墨包围,而不至于互相粘接在一起,从而实现原位生成氮化铝。
进一步地,氧化铝粉B的添加摩尔量P的计算公式为P=(M-3N)/(2~2.5)。
进一步地,氧化铝粉B的制备方法为:按照步骤1)制备固液混合物A,自然干燥后转移至550~750℃的马弗炉中处理1~5h后,降至室温取出,即得氧化铝粉B。
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