[发明专利]一种Se微米管/溴铅铯异质结及其制备方法与光电应用在审

专利信息
申请号: 202111436198.4 申请日: 2021-11-29
公开(公告)号: CN114220883A 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 于平平;段伟;杜青阳;姜岩峰 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/109;C23C16/30;C23C16/28
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 杨慧林
地址: 214122 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 se 微米 溴铅铯异质结 及其 制备 方法 光电 应用
【权利要求书】:

1.一种Se微米管/溴铅铯异质结的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)以惰性气体为载气,硒粉为反应源,硅片作为衬底,采用化学气相沉淀法得到Se微米管,并转移至聚酯纤维基板;

(2)以步骤(1)中载有Se微米管的聚酯纤维基板为衬底,以PbBr和CsBr2混合物为反应源,以惰性气体为载气,采用化学气相沉淀法得到所述Se微米管/溴铅铯异质结。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,化学气相沉淀法制备Se微米管方法步骤:在惰性气体中,将硒粉置于恒温区,且硅片置于距离所述硒粉22-28cm处,加热得到所述Se微米管。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述惰性气体为氩气或/和氮气。

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述惰性气体的流量为30-200cm3/min。

5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,加热温度为300-380℃,加热时间为2-6h。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,化学气相沉淀法得到所述Se微米管/溴铅铯异质结的方法步骤:在惰性气体中,将反应源置于恒温区,且所述衬底置于距离所述反应源的20-26cm处,加热得到所述Se微米管/溴铅铯异质结。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述惰性气体的流量为30-100cm3/min。

8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,加热温度为500-600℃,加热时间为2-6h。

9.权利要求1-8中任一项所述的制备方法所得Se微米管/溴铅铯异质结。

10.权利要求9所述的Se微米管/溴铅铯异质结在光电探测器中的应用。

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