[发明专利]一种集成LED的光增强碳化硅功率器件在审
| 申请号： | 202111437948.X | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114242709A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张峰;张国良;邱宇峰;张荣 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L29/06;H01L29/78;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 led 增强 碳化硅 功率 器件 | ||
1.一种集成LED的光增强碳化硅功率器件，其特征在于由多个元胞并联而成，每个元胞结构包括：P型掺杂集电区、N型掺杂场终止层、N型掺杂漂移区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、集成的LED、发射极电极和集电极；N型掺杂场终止层位于P型掺杂集电区上方，N型掺杂漂移区位于N型掺杂场终止层上方；P型掺杂的阱区位于N型漂移区的上方；N型掺杂的源区和P型掺杂的基区位于P型掺杂的阱区的内部；氧化层位于N型掺杂漂移区的上方；栅极电极位于氧化层上方；集成的LED位于JFET区域的上方且在栅极电极的内部；发射极电极位于N型掺杂的源区和P型掺杂的基区的上方；集电极位于P型掺杂集电区的下方。
2.如权利要求1所述一种集成LED的光增强碳化硅功率器件，其特征在于所述P型掺杂集电区掺杂浓度为1×1018cm-3～5×1020cm-3，厚度为0.1～20μm，N型掺杂场终止层的掺杂浓度为1×1014cm-3～5×1020cm-3，厚度为0.1～10μm。
3.如权利要求1所述一种集成LED的光增强碳化硅功率器件，其特征在于所述N型掺杂漂移区的掺杂浓度为1×1013cm-3～1×1018cm-3，厚度依照所需要实现的阻断电压设定为5～200μm。
4.如权利要求1所述一种集成LED的光增强碳化硅功率器件，其特征在于所述P型掺杂的阱区的掺杂浓度为1×1015cm-3～5×1019cm-3。
5.如权利要求1所述一种集成LED的光增强碳化硅功率器件，其特征在于所述N型掺杂的源区的深度为0.2～0.8μm，N型掺杂的源区的掺杂浓度在1×1017cm-3以上。
6.如权利要求1所述一种集成LED的光增强碳化硅功率器件，其特征在于所述P型掺杂的基区的深度为0.2～1.5μm，P型掺杂的基区的掺杂浓度在1×1017cm-3以上。
7.如权利要求1所述一种集成LED的光增强碳化硅功率器件，其特征在于每个元胞所集成的LED的个数为1～5000个。
8.如权利要求1所述一种集成LED的光增强碳化硅功率器件，其特征在于每个元胞所集成的LED所发射的光线波段为紫外波段。
9.如权利要求1所述一种集成LED的光增强碳化硅功率器件，其特征在于每个元胞所集成的LED的宽度为0.5～20μm，长度为0.5～20μm。
10.如权利要求1所述一种集成LED的光增强碳化硅功率器件，其特征在于每个元胞所集成的LED为圆形、方形、三角形。
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