[发明专利]一种盆式绝缘子沿面闪络放电起始位置判断方法

权利要求书

1.一种盆式绝缘子沿面闪络放电起始位置判断方法，其特征在于，包括：

对盆式绝缘子涂敷真空硅脂，将所述盆式绝缘子和实验腔体密封安装；

对所述盆式绝缘子进行沿面绝缘强度测试，以在所述盆式绝缘子上产生沿面闪络；

获取所述沿面闪络的电压数值，并将所述盆式绝缘子与所述实验腔体分离；

根据所述沿面闪络的闪络路径，得到所述闪络路径的起始位置，具体为：

获取闪络路径的数个第一放电通道；

判断所述第一放电通道是否为贯穿性放电通道，若是，则所述闪络路径起始于三结合点处，若否，则所述闪络路径起始于高压屏蔽电极表面。

2.根据权利要求1所述的盆式绝缘子沿面闪络放电起始位置判断方法，其特征在于，所述对盆式绝缘子涂敷真空硅脂，将所述盆式绝缘子和实验腔体密封安装的步骤包括：

在盆式绝缘子的密封槽内涂敷真空硅脂，安装密封圈，将所述盆式绝缘子与实验腔体密封安装；

在所述盆式绝缘子与所述实验腔体的法兰连接处涂敷真空硅脂，并将所述实验腔体进行密封。

3.根据权利要求1所述的盆式绝缘子沿面闪络放电起始位置判断方法，其特征在于，所述对所述盆式绝缘子进行沿面绝缘强度测试的步骤包括：

将所述盆式绝缘子和所述实验腔体内部抽取为真空状态，向所述内部填充SF₆气体；

对所述内部进行升压，使所述盆式绝缘子发生沿面闪络。

4.根据权利要求3所述的盆式绝缘子沿面闪络放电起始位置判断方法，其特征在于，所述对所述内部进行加压和升压之前还包括：所述盆式绝缘子凸面端所在腔体气压高于凹面端所在腔体气压0.1MPa。

5.根据权利要求1所述的盆式绝缘子沿面闪络放电起始位置判断方法，其特征在于，所述判断所述第一放电通道是否为贯穿性放电通道，若是，则所述闪络路径起始于三结合点处，若否，则所述闪络路径起始于高压屏蔽电极表面的步骤包括：

闪络路径的第一放电通道为非贯穿性放电通道；

所述闪络路径的起始位置为所述盆式绝缘子高压屏蔽电极表面的烧蚀点。

6.根据权利要求1所述的盆式绝缘子沿面闪络放电起始位置判断方法，其特征在于，所述判断所述第一放电通道是否为贯穿性放电通道，若是，则所述闪络路径起始于三结合点处，若否，则所述闪络路径起始于高压屏蔽电极表面的步骤包括：

闪络路径的第一放电通道为贯穿性放电通道；

所述第一放电通道上有数个向外凸出发散的非贯穿性第二放电通道；

根据所述第二放电通道的发散方向，得到所述第一放电通道的起始方向；

根据所述第一放电通道的起始方向，得到所述闪络路径的放电起始点。

7.根据权利要求6所述的盆式绝缘子沿面闪络放电起始位置判断方法，其特征在于，所述根据所述第二放电通道的发散方向，得到所述第一放电通道的起始方向的步骤包括：

判断所述闪络路径的第二放电通道的发散方向；

若所述发散方向为接地电极方向，则所述闪络路径起始于高压三结合点处，若所述发散方向为高压电极方向，则所述闪络路径起始于接地三结合点处。

8.根据权利要求1所述盆式绝缘子沿面闪络放电起始位置判断方法，其特征在于，所述闪络路径起始于三结合点处的闪络电压值低于预设的电压设计值。

9.根据权利要求8所述盆式绝缘子沿面闪络放电起始位置判断方法，其特征在于，所述闪络路径起始于高压屏蔽电极表面的闪络电压值高于所述预设的电压设计值。