[发明专利]图像显示元件

说明书

本发明的一个方面的图像显示元件中，阵列状的多个发光元件的每一个具有台面形状，在台面形状之间设有与第二导电层连接的布线层以及与布线层连接且与多个发光元件连接的共用第二电极，布线层的层厚比台面形状的层厚薄。

技术领域

本发明的一个方式涉及图像显示元件，更具体而言，涉及具备有微型发光元件的图像显示元件。

背景技术

已知有一种在驱动电路基板上具备多个构成像素的微型发光元件的显示元件。这种显示元件不但小型，且具有亮度高，耐久性也高等的特性。因此，被安装成眼镜型终端、平视显示器(HUD)等的显示装置用的显示元件。

另外，众所周知，在以阵列状具备微型LED的显示元件的表面上，为了提高光取出效率，形成了多个微台面(mesa)结构。存在在这样的显示元件中，在微型LED的阵列内配置阴极的方式，但存在越是阴极的面积发光面积越小这样的问题、像素区域大这样的问题。因此，针对这样的问题，提出了在阵列外配置阴极电极的方式(美国专利公开公报US2018/308420A1以及美国专利公开公报US2020/152693A1)。

此外，为了改善光提取效率，还提出了一种利用反射率高的材料填充台面之间的空间的方法(Francois Olivier,Anis Daami,Ludovic Dupre,Franck Henry,BernardAventurier,Francois Templier,“Investigation and Improvement of 10μm Pixel-pitch GaN-based Micro-LED Arrays with Very High Brightness(10μm像素间距GaN基超高亮度微型LED阵列的研究与改进)”,SID 2017DIGEST,P353)。

发明内容

通过在阵列外配置阴极电极，与在阵列内配置阴极电极的方式相比，能够提高光源的品质。

但是，在阵列外配置有阴极电极的美国专利公开公报US2018/308420A1以及美国专利公开公报US2020/152693A1的方式中，配置在像素区域内的共用阴极电极结构的电阻有可能会成为光源品质提高的妨碍。

另外，在如Francois Olivier,Anis Daami,Ludovic Dupre,Franck Henry,Bernard Aventurier,Francois Templier,“Investigation and Improvement of 10μmPixel-pitch GaN-based Micro-LED Arrays with Very High Brightness(10μm像素间距GaN基超高亮度微型LED阵列的研究与改进)”,SID 2017DIGEST,P353那样利用反射率高的材料填充台面之间的空间的方式中，可能成为发光元件的弯曲的原因。

本发明的一个方式是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于提供一种具备高光源质量的微型发光元件的图像显示元件。