[发明专利]一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法在审
申请号: | 202111443749.X | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN114156325A | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 宋泳锡;刘威;孙宏达 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 显示装置 制备 方法 | ||
1.一种显示基板,其特征在于:包括多个显示单元,所述显示单元包括透明区和发光区,所述发光区包括多个子像素,所述子像素包括像素驱动电路和发光器件;所述发光区包括第一区域和第二区域,所述发光区的多个子像素的像素驱动电路设置在所述第一区域,所述第二区域设置为能够发光且在不发光时具有透明度。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于:所述发光区包括依次叠设于基底上的驱动结构层、发光结构层和封装结构层;所述驱动结构层包括所述像素驱动电路,所述发光结构层包括设于所述驱动结构层上的多个所述发光器件,所述发光器件包括依次叠设的第一电极、有机功能层和第二电极层;位于所述第二区域的所述第一电极和所述有机功能层,以及所述第二电极层和所述封装结构层均为透明材料形成。
3.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于:位于所述第一区域的所述第一电极包括反射层和设于所述反射层的远离所述基底一侧的透明导电层;位于所述第二区域的所述第一电极包括所述透明导电层。
4.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于:所述驱动结构层包括设于所述基底上的薄膜晶体管和设于所述薄膜晶体管的远离所述基底一侧的平坦层,所述像素驱动电路包括所述薄膜晶体管;所述透明区包括依次叠设于所述基底上的无机复合绝缘层、所述平坦层、所述第二电极层和所述封装结构层。
5.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于:所述驱动结构层包括设于所述基底上的薄膜晶体管和设于所述薄膜晶体管的远离所述基底一侧的平坦层,所述像素驱动电路包括所述薄膜晶体管;所述封装结构层包括沿远离所述基底方向依次叠设的第一封装层和第二封装层;
所述透明区包括依次叠设于所述基底上的无机复合绝缘层、所述平坦层和所述第二封装层,且不包括所述第二电极层和所述第一封装层;或者,所述透明区包括依次叠设于所述基底上的无机复合绝缘层和所述第二封装层,且不包括所述平坦层、所述第二电极层和所述第一封装层。
6.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于:所述透明区设于所述发光区的一侧,所述第二区域位于所述第一区域的至少一侧。
7.如权利要求6所述的显示基板,其特征在于:所述透明区在第一方向上设于所述发光区的一侧,所述第二区域在所述第一方向上位于所述第一区域的一侧或两侧。
8.如权利要求7所述的显示基板,其特征在于:所述发光区的多个子像素的发光器件在第二方向上并列设置,所述第一方向与所述第二方向交叉。
9.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于:所述反射层的材料包括银、铝、铜中的任一种或多种;或/和,所述透明导电层的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌中的任一种或多种。
10.一种显示装置,其特征在于:包括权利要求1至9任一项所述的显示基板。
11.一种制备权利要求1所述的显示基板的方法,其特征在于,包括:
在基底上形成发光区的驱动结构层,以及透明区的无机复合绝缘层和平坦层,所述驱动结构层包括设置在所述第一区域的像素驱动电路,所述平坦层设于所述无机复合绝缘层的远离所述基底一侧;
在发光区的所述驱动结构层上形成多个第一电极,位于所述第二区域的所述第一电极为透明材料形成;
在发光区的所述多个第一电极的远离所述基底一侧形成像素界定层,所述像素界定层设有多个像素开口,每个所述像素开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出;
在发光区的所述多个第一电极的远离所述基底的一侧形成有机功能层,位于所述第二区域的所述有机功能层为透明材料形成;
在所述有机功能层的远离所述基底一侧形成位于发光区和透明区的第二电极层,所述第二电极层为透明材料形成,每个所述第一电极、所述有机功能层和所述第二电极层形成一个所述发光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的