[发明专利]一种用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂及使用方法

权利要求书

1.一种用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂，其特征在于，包括有脱泡剂、辅助成核剂、表面活性剂、PH调节剂、络合剂、有机酸和去离子水。

2.如权利要求1所述的用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂，其特征在于，所述单晶硅制绒添加剂，按重量百分比，包括有以下组分：

3.如权利要求2所述的用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂，其特征在于，所述脱泡剂为去氢双柏醇葡萄糖苷、异落叶松树脂酚葡萄糖苷、金丝桃苷、槲皮素阿拉伯糖苷、槲皮素鼠李糖基、异鼠李素半乳糖苷、淫羊霍苷、苯乙基芸香糖苷和苯乙基葡萄糖苷中的任意一种或多种。

4.如权利要求2所述的用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂，其特征在于，所述辅助成核剂为没食子酸、咖啡酸、绿原酸、香草酸、原儿茶酸、丁香酸和阿魏酸中的任意一种或多种。

5.如权利要求2所述的用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂，其特征在于，所述表面活性剂为十二烷基硫酸酯钾盐、聚氧乙烯醚磷酸酯钾盐、脂肪醇磷酸酯钾盐、异构十醇磷酸酯钾盐、酚醚磷酸酯钾盐、异构十三醇磷酸酯钾盐、月桂基磷酸酯钾盐和十六醇磷酸酯钾盐中的任意一种或多种。

6.如权利要求2所述的用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂，其特征在于，所述PH调节剂为碳酸钠、碳酸氢钠、柠檬酸钠、醋酸钠、乙酸钠、乳酸钠、甲酸钠的任意一种或多种。

7.如权利要求2所述的用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂，其特征在于，所述络合剂为焦磷酸钠、硫代硫酸盐、亚硫酸盐、乙醇钠、乙二胺四乙酸中的任意一种或多种。

8.如权利要求2所述的用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂，其特征在于，所述有机酸为酒石酸、草酸、苹果酸、苯甲酸、水杨酸中的任意一种或者多种。

9.如权利要求3-8中任意一项所述的用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂的使用方法，其特征在于，所述包括以下步骤：

步骤1)、制绒添加剂配制：按重量百分比将脱泡剂、辅助成核剂、表面活性剂、PH调节剂、络合剂、有机酸和去离子水混合配制成单晶硅制绒添加剂；

步骤2)、制备碱液：称取一定质量的碱加入去离子水中，配成浓度为0.50-2.00wt％碱溶液，所述碱为氢氧化钠或氢氧化钾；

步骤3)、制备制绒液：将步骤1)中配制成的制绒添加剂加入到步骤2)配制好的碱溶液中，搅拌循环后即得单晶硅制绒液；

步骤4)、硅片清洗：配制0.05-0.70wt％的碱液，将硅片置入碱液中进行弱粗抛，弱粗抛后将硅片用含碱的双氧水中清洗，再水洗，制得去除损伤层及脏污的硅片，步骤4中的碱液为0.05-0.70wt％的氢氧化钾或氢氧化钠，含碱的双氧水为1-5wt％的双氧水和0.2-0.5wt％氢氧化钾或氢氧化钠的混合液；

步骤5)、制绒：将弱粗抛后的硅片浸入适应于弱粗抛工艺的单晶硅制绒液中进行制绒，将硅表面刻蚀出金字塔绒面；

步骤6)、将步骤5)中的制绒后单晶硅片浸渍于室温下的去离子水中清洗2min，再进行混酸清洗，时间为5-10min，步骤6)所述混酸液是HF/HCL，混酸浓度1-4mol/L；

步骤7)、将酸洗后的单晶硅片浸入去离子水中清洗2min，再浸渍于60℃的去离子水中慢慢提拉出来，并将晶硅片于置于80℃的烘干箱中干燥30min。

10.如权利要求9所述的用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂的使用方法，其特征在于，所述硅片清洗温度是60-75℃；所述硅片清洗时间是100-150s；所述制绒液温度为75-85℃；所述制绒时间300-500s。