[发明专利]高精度取芯片装置在审
申请号: | 202111445785.X | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN116207030A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 黄力;翁加林 | 申请(专利权)人: | 道晟半导体(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 袁紫薇 |
地址: | 215000 江苏省苏州市高*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高精度 芯片 装置 | ||
本发明公开一种高精度取芯片装置,包括:晶圆、蓝膜和吸嘴,所述蓝膜贴敷于晶圆的背面,所述晶圆进一步包括若干个与蓝膜贴敷的芯片,所述吸嘴位于晶圆与蓝膜相背的上方,所述蓝膜与晶圆相背的下方设置有一用于将芯片往上吹起的气体顶针,此气体顶针与气源之间设置有一用于控制气体顶针吹气的电磁阀;包括以下步骤:步骤一、所述粘贴于蓝膜上晶圆中相应的芯片移动到吸嘴正上方;步骤二、所述吸嘴在电磁阀控制下,从吸嘴吹出气体射向相应的芯片正下方的蓝膜区域。本发明高精度取芯片装置使得芯片背面的受到的推力更均匀,避免了芯片的损伤,也从而更有利于芯片与蓝膜减黏,从而扩展了应用场景。
技术领域
本发明涉及一种半导体芯片装置,尤其涉及一种高精度取芯片装置。
背景技术
在晶圆封装过程的取放芯片中,要想将粘在蓝膜上的芯片拾起,现有技术除了给吸嘴提供足够的真空外,还需顶针将芯片顶起,从而使得芯片脱离蓝膜,吸嘴将芯片吸取转移。现有技术中由于顶针在撞击芯片顶起的时候,存在将芯片损伤的风险。现有技术采用顶针顶起芯片,在顶起的过程中由于顶针是金属且头部比较尖锐,在撞击芯片的时候,存在将芯片撞裂或者留下隐形裂纹的风险,严重影响芯片使用过程中的可靠性。
发明内容
本发明目的在于提供一种高精度取芯片装置,该高精度取芯片装置使得芯片避免了芯片顶起的时候硬碰硬的操作,并使得背面的受到的推力更均匀,在避免了芯片的损伤的同时,也更有利于芯片与蓝膜减黏,从而扩展了应用场景。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种高精度取芯片装置,包括:晶圆、蓝膜和吸嘴,所述蓝膜贴敷于晶圆的背面,所述晶圆进一步包括若干个与蓝膜贴敷的芯片,所述吸嘴位于晶圆与蓝膜相背的上方,所述蓝膜与晶圆相背的下方设置有一用于将芯片往上吹起的气体顶针,此气体顶针与气源之间设置有一用于控制气体顶针吹气的电磁阀;
包括以下步骤:
步骤一、所述粘贴于蓝膜上晶圆中相应的芯片移动到吸嘴正上方;
步骤二、所述吸嘴在电磁阀控制下,从吸嘴吹出气体射向相应的芯片正下方的蓝膜区域。
上述技术方案中进一步改进的技术方案如下:
1、上述方案中,所述气体顶针朝向蓝膜的表面开有至少2个出气孔。
2、上述方案中,所述蓝膜的尺寸大于晶圆的尺寸。
3、上述方案中,所述吸嘴为真空吸嘴,此吸嘴的中心处设置有一抽气管路。
4、上述方案中,所述气体顶针的中心处设置有一出气管路。
5、上述方案中,所述蓝膜为塑料薄膜。
由于上述技术方案的运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:
1、本发明高精度取芯片装置,其吸嘴位于晶圆与蓝膜相背的上方,蓝膜与晶圆相背的下方设置有一用于将芯片往上吹起的气体顶针,采用气体顶针代替现有的顶针,既避免了与芯片的硬碰撞,也使得芯片背面的受到的推力更均匀,从而避免了顶针对芯片的损伤,提高了产品的良率,有效避免因为暗裂纹引起的产品失效,大幅提高产品的可靠性水平;而且现有顶针顶起芯片后还需要复位和机械转动,多余的操作时间,影响设备的UPH的提升,并且顶针使用过程中属于易损件,即增加了使用成本,更换顶针也降低了设备的产出,本专利省略复位步骤和机械转动,无需更换顶针,既可节约成本也同时提升设备的产出。
2、本发明高精度取芯片装置,其位于蓝膜下方的气体顶针与气源之间设置有一用于控制气体顶针吹气的电磁阀,在2个芯片移动过程中电磁阀关闭,气体顶针中没有气流,避免了将其它不需要拾取的芯片的吹起来;同时,对于与蓝膜粘接较为牢固的芯片,可以通过控制电磁阀多次开闭多次吹气或者调整吹气时间或者气流出气方式,从而更有利于芯片与蓝膜减黏,也便于调节气流强度控制顶起的力度从而扩展了应用场景。
附图说明
附图1为本发明高精度取芯片装置中晶圆的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造