[发明专利]一种CZ法制备硅晶体的方法

权利要求书

1.一种CZ法制备硅晶体的方法，其特征在于：在单晶拉制过程中，控制勾形磁场的零磁面与石英坩埚内硅溶液的自由液面之间的距离、勾形磁场的强度和石英坩埚的转速，以控制单晶晶体中的氧含量；其中，

所述勾形磁场的零磁面设于所述自由液面以下，且所述勾形磁场的零磁面与所述自由液面之间的距离为40-120mm；

所述勾形磁场的强度为300-1200Gs；

所述石英坩埚的转速为3-10rpm。

2.根据权利要求1所述的CZ法制备硅晶体的方法，其特征在于：所述勾形磁场的强度随着单晶的长晶长度的增加而减小，或，所述勾形磁场的强度在单晶的长晶过程中保持恒定。

3.根据权利要求2所述的CZ法制备硅晶体的方法，其特征在于：所述单晶的长晶长度每增加一个长度变化量，所述勾形磁场的强度减少一个强度变化量。

4.根据权利要求3所述的CZ法制备硅晶体的方法，其特征在于：所述长度变化量为50-100mm，所述强度变化量为50-200Gs。

5.根据权利要求3或4所述的CZ法制备硅晶体的方法，其特征在于：所述石英坩埚的转速在单晶的长晶过程中保持恒定，或，所述石英坩埚的转速随着单晶的长晶长度的增加而减小。

6.根据权利要求5所述的CZ法制备硅晶体的方法，其特征在于：所述单晶的长晶长度每增加一个所述长度变化量，所述石英坩埚的转速减少一个转速变化量，所述转速变化量为0.5-1rpm。

7.根据权利要求3或4或6所述的CZ法制备硅晶体的方法，其特征在于：所述勾形磁场的零磁面与所述自由液面之间的距离在单晶的长晶过程中保持恒定，或，所述勾形磁场的零磁面与所述自由液面之间的距离随着单晶的长晶长度的增加而增加。

8.根据权利要求7所述的CZ法制备硅晶体的方法，其特征在于：所述单晶的长晶长度每增加一个所述长度变化量，所述勾形磁场的额零磁面与自由液面之间的距离减少一个距离变化量，所述距离变化量为0.5-10mm。

9.根据权利要求1所述的CZ法制备硅晶体的方法，其特征在于：在单晶拉制的过程中，单晶拉速为0.3-0.7mm/min。

10.一种硅单晶，其特征在于：采用如权利要求1-9任一项所述的CZ法制备硅晶体的方法制备而成，单晶头部电阻率为100-110Ω.cm，单晶尾部电阻率为30-40Ω.cm。