[发明专利]适用于大电流条件工作的发光二极管外延结构及制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延结构，其特征在于，包括沿指定方向依次设置的n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱发光层、p型AlGaN电子阻挡层、AlInN插入层和p型GaN层；

其中，所述AlInN插入层包括第一AlInN层和第二AlInN层，所述第二AlInN层设置在第一AlInN层与p型GaN层之间，所述第二AlInN层的生长温度高于所述第一AlInN层的生长温度；

所述第一AlInN层表面的多个缺陷处在氢气气氛中被腐蚀形成多个凹陷部，且所述凹陷部被所述第二AlInN层的局部区域填充。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于：所述AlInN插入层与p型GaN层之间还分布有p型GaN过渡层。

3.根据权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于：所述AlInN插入层是非掺杂的。

4.根据权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于：所述AlInN插入层是p型掺杂的。

5.根据权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于：所述AlInN插入层沿其厚度方向的一部分是非掺杂的，另一部分是p型掺杂的。

6.根据权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于：所述发光二极管外延结构包括在衬底上依次生长形成的低温GaN缓冲层、非掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱发光层、p型AlGaN电子阻挡层、AlInN插入层、p型GaN过渡层和p型GaN层。

7.根据权利要求6所述的发光二极管外延结构，其特征在于：所述衬底的材质包括蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌或氮化镓中的任意一种。

8.一种发光二极管外延结构的制备方法，其特征在于包括：

在衬底上依次生长形成n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱发光层、p型AlGaN电子阻挡层；

在第一温度条件下于p型AlGaN电子阻挡层上生长形成第一AlInN层；

在氢气气氛中将所述第一AlInN层表面的多个缺陷处腐蚀形成多个凹陷部，之后在第二温度条件下于第一AlInN层上生长形成第二AlInN层，并使所述第二AlInN层的局部区域填充所述多个凹陷部，所述第二温度高于第一温度，所述第一AlInN层与第二AlInN层配合形成AlInN插入层；以及

在所述第二AlInN层上生长形成p型GaN层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，还包括：在所述第二AlInN层上生长形成p型GaN过渡层，之后在p型GaN过渡层上生长形成p型GaN层。