[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202111447380.X | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN116207121A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 王岩;黄秀颀;黄飞;王程功;董小彪 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本申请公开了一种显示面板及其制备方法,所述显示面板包括:驱动背板,所述驱动背板的第一表面设置有多个正常邦定区和多个冗余邦定区;其中,至少部分相邻的两个所述正常邦定区之间的第一间距大于至少部分相邻的所述正常邦定区和所述冗余邦定区之间的第二间距,且所述正常邦定区与相邻的所述冗余邦定区构成一个邦定组;发光层,位于所述第一表面上,包括多个子像素,所述子像素与所述正常邦定区或所述冗余邦定区电连接,且同一邦定组内的所述正常邦定区或所述冗余邦定区用于与同一发光颜色的子像素电连接。通过上述方式,本申请能够提高Micro‑LED巨量转移良率和修补良率。
技术领域
本申请属于显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
Micro-LED作为新型显示技术,正受到越来越广泛的关注。但是目前Micro-LED巨量转移技术良率较低,后期需要进行坏点修补以达到显示标准。由于Micro-LED排列较为紧密,如何提高巨量转移良率和修补良率是亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制备方法,以提高Micro-LED巨量转移良率和修补良率。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种显示面板,包括:驱动背板,所述驱动背板的第一表面设置有多个正常邦定区和多个冗余邦定区;其中,至少部分相邻的两个所述正常邦定区之间的第一间距大于至少部分相邻的所述正常邦定区和所述冗余邦定区之间的第二间距,且所述正常邦定区与相邻的所述冗余邦定区构成一个邦定组;发光层,位于所述第一表面上,包括多个子像素,所述子像素与所述正常邦定区或所述冗余邦定区电连接,且同一邦定组内的所述正常邦定区或所述冗余邦定区用于与同一发光颜色的子像素电连接。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种显示面板的制备方法,包括:提供驱动背板;其中,所述驱动背板的第一表面设置有多个正常邦定区和多个冗余邦定区;至少部分相邻的两个所述正常邦定区之间的第一间距大于相邻的所述正常邦定区和所述冗余邦定区之间的第二间距,且所述正常邦定区与相邻的所述冗余邦定区构成一个邦定组;在所述驱动背板的所述正常邦定区上设置子像素;响应于与所述正常邦定区邦定连接的所述子像素被确定为坏点子像素时,在同一邦定组内的所述冗余邦定区上引入具有相同发光颜色的修补子像素。
区别于现有技术情况,本申请的有益效果是:一方面,本申请所提供的显示面板的驱动背板上设置有多个正常邦定区和多个冗余邦定区,且正常邦定区与相邻的冗余邦定区可以构成一个邦定组,一个子像素与一个邦定组内的正常邦定区或冗余邦定区电连接。在实际应用过程中,当与正常邦定区邦定的子像素被确定为坏点时,可以在同一邦定组内的冗余邦定区上引入具有相同发光颜色的修补子像素。即本申请引入冗余修补的方式,相比原位修补而言,其修补良率增加。另一方面,本申请中至少部分相邻的两个正常邦定区之间的第一间距大于相邻的正常邦定区和冗余邦定区之间的第二间距。在巨量转移过程中,在正常邦定区邦定子像素时,上述设计方式可以增大相邻子像素之间的间距,降低相邻子像素之间的干扰,降低子像素发生旋转、偏移的概率,以提高转移良率;且该设计方式可以使得转移子像素的转移头的凸起面积可以适当增大,以增加对子像素偏移的容忍度,提高转移良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
图1为本申请显示面板一实施方式的结构示意图;
图2为图1中显示面板坏点修补前一实施方式的局部俯视示意图;
图3为图2对应的像素驱动电路和相关走线一实施方式的俯视示意图;
图4为图1中显示面板坏点修补前另一实施方式的局部俯视示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的