[发明专利]一种页缓冲器、存储装置及其操作方法和存储器系统在审
申请号: | 202111447894.5 | 申请日: | 2021-11-29 |
公开(公告)号: | CN114168491A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 万维俊 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F12/0866;G11C16/08;G11C16/24 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 李路遥;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 缓冲器 存储 装置 及其 操作方法 存储器 系统 | ||
本公开实施例公开了一种页缓冲器、存储装置及其操作方法和存储器系统,所述页缓冲器包括:用于存储编程验证信息的第一锁存器、用于存储第一位线强制信息的第二锁存器和用于存储第二位线强制信息的动态锁存器;其中,所述第一位线强制信息不同于所述第二位线强制信息;其中,所述动态锁存器包括与所述第二锁存器电连接的控制开关,并且其被配置为通过控制开关所电连接的寄生电容锁存信息。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,尤其涉及一种页缓冲器、存储装置及其操作方法和存储器系统。
背景技术
半导体存储器可以粗略地划分成两类,这取决于它们在断电时是否保留存储的数据;这两类半导体存储器是:易失性存储器和非易失性存储器,易失性存储器在断电时丢失存储的数据,非易失性存储器在断电时保留存储的数据。非易失性存储器中存储单元分别连接至位线和字线,因而具有良好的随机存取时间特性。非易失性存储器可以包括对应一条位线上串联连接的多个存储单元,并且每个存储单元串可以仅相应布置一个接触,因而具有良好的集成特性。
随着存储器的集成度的提高,页缓冲器占据的区域的面积在存储器的外围电路中受限制且存在其面积趋于减小的需求,因而构成页缓冲器的元件的数量也需要精简。
发明内容
有鉴于此,本公开实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种页缓冲器、存储装置及其操作方法和存储器系统。
为达到上述目的,本公开实施例的技术方案是这样实现的:
第一方面,本公开实施例提供一种页缓冲器,包括:用于存储编程验证信息的第一锁存器、用于存储第一位线强制信息的第二锁存器和用于存储第二强制信息的动态锁存器;其中,所述第一位线强制信息和所述第二位线强制信息不同;
所述动态锁存器包括与所述第二锁存器电连接的控制开关,并且其被配置为通过控制开关所电连接的寄生电容锁存信息。
在一种可选的实施方式中,所述第二锁存器与所述控制开关的第一端电连接,在所述控制开关被控制为开启的情况下,将所述第二锁存器存储的信息传输至所述控制开关的第二端,并通过所述第二端电连接的所述寄生电容存储。
在一种可选的实施方式中,在基于第一强制感测电压进行第一感测操作期间,所述第二锁存器被配置为存储用来基于所述第一强制感测电压在未通过编程验证的存储单元之中区分将要进行第一位线强制操作的存储单元的信息,作为第一位线强制信息。
在一种可选的实施方式中,在基于第二强制感测电压进行第二感测操作之前,所述动态锁存器被配置为,所述控制开关开启以至于通过所述寄生电容锁存来自所述第二锁存器的当前的第一位线强制信息。
在一种可选的实施方式中,在基于第二强制感测电压进行第二感测操作期间,所述第二锁存器被配置为存储用来基于第二强制感测电压在未通过编程验证的存储单元之中区分将要进行第二位线强制操作的存储单元的信息,作为第二位线强制信息。
在一种可选的实施方式中,在基于编程验证电压进行第三感测操作之后,所述动态锁存器被配置为,将所述寄生电容存储的第一位线强制信息输出至所述页缓冲器的感测节点,并在所述控制开关开启时锁存来自所述第二锁存器的第二位线强制信息;所述第二锁存器被配置为存储所述感测节点处的第一位线强制信息。
在一种可选的实施方式中,所述第一强制感测电压小于所述第二强制感测电压。
在一种可选的实施方式中,所述第二强制感测电压小于所述编程验证电压。
在一种可选的实施方式中,还包括:用于生成第一强制编程电压的第一预充电路;所述第一预充电路通过所述页缓冲器的感测节点电连接到位线;
所述页缓冲器被配置为,通过所述第一预充电路将高于正常编程位线电压且低于禁止编程位线电压的第一强制编程电压施加到将要进行第一位线强制操作的存储单元对应的位线。
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