[发明专利]一种无机-有机杂化化合物晶体KCuIL及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种无机-有机杂化化合物晶体，其特征在于，所述无机-有机杂化化合物晶体的化学式为KCuIL；其中L为3-硝基异烟酸；

所述无机-有机杂化化合物具有三维结构；

Cu₂I₂簇单元通过铜-碘配位相互连接形成二维无机层，与3-硝基异烟酸和钾组装成三维结构；

所述无机-有机杂化化合物晶体属于单斜晶系，空间群为P2₁/c；

所述无机-有机杂化化合物晶体的晶胞参数为a=16.6252(13)Å，b=7.5502(5)Å，c=8.0367(6)Å，β=98.774(7)°，V=996.99(13)ų，Z=4。

2.根据权利要求1所述的无机-有机杂化化合物晶体，其特征在于，所述无机-有机杂化化合物在420 nm波长的可见光下的光电流响应范围在10^-8~10^-7A；光电流响应峰值为1.4×10^-7A。

3.根据权利要求1所述的无机-有机杂化化合物晶体，其特征在于，

所述无机-有机杂化化合物具有随温度变化可调控的电导率，从25℃到120℃的电导率范围为10^-8~10^-6Scm^-1。

4.一种权利要求1~3中任意一项所述的无机-有机杂化化合物晶体的制备方法，其特征在于，

包括以下步骤：

将含有钾源、3-硝基异烟酸和碘化亚铜的原料与溶剂混合，发生溶剂热反应，得到所述无机-有机杂化化合物晶体。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，

所述钾源选自碘化钾、溴化钾或氯化钾中的至少一种；

所述溶剂选自N,N-二甲基甲酰胺、乙腈、与甲醇或乙醇中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

所述钾源、3-硝基异烟酸和碘化亚铜的质量比为n：2：2；其中1≤n≤5；

所述钾源的质量以碘化钾计；

所述3-硝基异烟酸的质量以3-硝基基异烟酸计；

所述碘化亚铜的质量以碘化亚铜计。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，

所述溶剂热反应的温度为40~100℃，反应时间为2~6天。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，

所述溶剂热反应的温度为80~100℃，反应时间为3~5天。

9.一种半导体材料，其特征在于，含有权利要求1~3中任意一项所述的无机-有机杂化化合物晶体或权利要求4~8中任意一项所述的制备方法制备的无机-有机杂化化合物晶体。

10.一种可见光半导体光电响应器件，其特征在于，含有权利要求9所述的半导体材料。