[发明专利]预退火处理的电感器的制备方法

权利要求书

1.预退火处理的电感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、获取有非晶纳米晶粉末并对其进行绝缘包覆处理，以得到有包覆粉末；

S2、对所得包覆粉末进行预退火处理，以促进该包覆粉末的绝缘钝化反应；

S3、预退火处理所得的包覆粉末进行成型处理，以得到有非晶纳米晶绝缘成品粉末；

S4、对所得非晶纳米晶绝缘成品粉末进行压制成型并烘烤固化，以得到有电感器。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述非晶纳米晶粉末成分包括有Fe_{100-a-b-c-x-y-z}Si_aB_bC_cMn_xCr_yX_Z,，式中X为P、Cu、Mo、Ni中的任意一种，其中8≤a≤15，6≤b≤12，0.2≤c≤3.0，0.1≤x≤3.5，0.5≤y≤2.5，0≤Z≤4.0。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，其中6≤b≤9，0.3≤y≤2.5。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述非晶纳米晶粉末成分包括有Fe_74.8Si₁₁B₉C_1.5Cr_2.5Mn_0.2P₁或Fe_74.8Si₁₁B₉C_0.5Cr_1.5Mn_0.2P₂或Fe_73.8Si₁₁B₉C_1.5Cr_1.5Mn_0.2P₂或Fe₇₉Si₁₁B₇C_0.5Cr_0.3Mn_0.2P₂或Fe₇₉Si₉B_6.2C_0.5Cr_0.3Mn₁P₄；则于步骤S2中，该预退火处理的温度控制为400～480摄氏度。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述非晶纳米晶粉末成分包括有Fe_74.8Si₁₁B₉C_1.5Cr_2.5Mn_0.2Mo₁或Fe_76.8Si₁₁B₉C_0.5Cr_1.5Mn_0.2Mo₁或Fe_73.8Si₁₁B₉C_1.5Cr_1.5Mn_1.2Mo₁或Fe₇₈Si₁₁B₇C_0.5Cr_0.5Mn₁Mo₂；则于步骤S2中，该预退火处理的温度控制为420～520摄氏度。