[发明专利]一种激光退火系统及激光退火方法在审
申请号: | 202111449095.1 | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN116207000A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 赵勇杰;杨晖;金贤胜;刘尧 | 申请(专利权)人: | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/268 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230088 安徽省合肥市合肥市高*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 退火 系统 方法 | ||
1.一种激光退火系统,包括用于承载量子芯片的退火平台、及用于产生发射激光的激光源,其特征在于,所述激光退火系统还包括:
调制器,用于调制所述发射激光以获得激光束;
分光器,用于将所述激光束分束形成传输至所述量子芯片的第二激光,以及传输路径与所述第二激光不同的第一激光;
第一传感器,用于采集所述第一激光的探测参数;以及
与所述第一传感器连接的反馈控制器,用于根据所述探测参数控制所述调制器调制所述发射激光以使所述第二激光的能量为目标值。
2.根据权利要求1所述的激光退火系统,其特征在于,所述激光源包括固体激光发射器。
3.根据权利要求2所述的激光退火系统,其特征在于,所述固体激光发射器提供波长为532nm的发射激光。
4.根据权利要求1所述的激光退火系统,其特征在于,所述调制器为声光调制器、电光调制器、波片或者其他功率调节机构。
5.根据权利要求4所述的激光退火系统,其特征在于,所述波片为半波长波片。
6.根据权利要求1所述的激光退火系统,其特征在于,所述第一传感器为光电传感器。
7.根据权利要求6所述的激光退火系统,其特征在于,所述光电传感器为硅基光电传感器。
8.根据权利要求1所述的激光退火系统,其特征在于,所述探测参数与能量呈线性关系。
9.根据权利要求8所述的激光退火系统,其特征在于,所述探测参数为能量参数或者电压参数。
10.根据权利要求1至9任一项所述的激光退火系统,其特征在于,所述反馈控制器包括:
与所述第一传感器连接的A/D转换模块,用于将所述探测参数转换为数字信号;
与所述A/D转换模块连接的运算模块,用于接收所述数字信号和所述目标值,并根据所述目标值和所述数字信号生成对应的控制指令;以及
与所述运算模块和所述调制器均连接的控制模块,用于根据所述控制指令控制所述调制器调制所述发射激光。
11.根据权利要求10所述的激光退火系统,其特征在于,所述反馈控制器还包括:
交互模块,用于接收更改指令;以及
与所述交互模块连接的通信模块,用于将所述更改指令对应的所述目标值传输至所述运算模块。
12.一种激光退火方法,其特征在于,包括:
调制激光源的发射激光以获得激光束;
将所述激光束分束形成传输至量子芯片的第二激光,以及传输路径与所述第一激光不同的第一激光;
采集所述第一激光的探测参数;以及
根据所述探测参数调制所述发射激光以使所述第二激光的能量为目标值。
13.根据权利要求12所述的激光退火方法,其特征在于,所述激光源包括固体激光发射器。
14.根据权利要求13所述的激光退火方法,其特征在于,所述固体激光发射器提供波长为532nm的发射激光。
15.根据权利要求12所述的激光退火方法,其特征在于,所述探测参数与所述能量参数呈线性关系。
16.根据权利要求15所述的激光退火方法,其特征在于,所述探测参数为能量参数或者电压参数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造