[发明专利]一种显著提高Bi2212超导材料临界电流密度的方法有效
申请号: | 202111449107.0 | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN114068098B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 李珍宝;刘国庆;姚凯 | 申请(专利权)人: | 西北有色金属研究院 |
主分类号: | H01B12/00 | 分类号: | H01B12/00;C04B35/453;C04B35/626 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 马小燕 |
地址: | 710016 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显著 提高 bi2212 超导 材料 临界 电流密度 方法 | ||
1.一种显著提高Bi2212超导材料临界电流密度的方法,其特征在于,该方法通过人工制备获得14:24的AEC相,然后加入到Bi2212粉体中混匀,得到混合粉末,采用混合粉末制备得到Bi2212超导材料;该方法包括以下步骤:
步骤一、通过共沉淀工艺或喷雾热解工艺制备获得14:24的AEC相;
步骤二、将步骤一中获得的14:24的AEC相加入到Bi2212粉体中并搅拌混合均匀,得到混合粉末;
步骤三、以步骤二中得到的混合粉末为原料,按照Bi2212超导材料的常规制备方法,制备得到Bi2212超导材料;
所述Bi2212超导材料包括Bi2212超导薄膜以及Bi2212超导线材,且Bi2212超导薄膜在77K时的临界电流密度高达2189A/cm2,比未加入AEC相制备的Bi2212超导薄膜提高达4.4倍,Bi2212超导线材在77K时的临界电流密度高达9070A/cm2,比未加入AEC相制备的Bi2212超导线材提高达15.6%。
2.根据权利要求1所述的一种显著提高Bi2212超导材料临界电流密度的方法,其特征在于,步骤一中所述14:24的AEC相的前驱体溶液中按原子比计(Sr+Ca):Cu=14:24,且获得的14:24的AEC相中Sr、Ca、Cu的质量比较其设计质量比的误差范围小于3%。
3.根据权利要求1所述的一种显著提高Bi2212超导材料临界电流密度的方法,其特征在于,步骤一中所述共沉淀工艺的具体过程为:配制草酸乙醇溶液,然后分别将SrCO3、CaCO3和Cu溶解于硝酸中,得到硝酸盐混合溶液,其中,(Sr+Ca)与Cu的原子比14:24,将硝酸盐混合溶液与氨水同时加入草酸乙醇溶液中获得共沉淀粉末,将共沉淀粉末分步裂解并研磨后,得到14:24的AEC相。
4.根据权利要求1所述的一种显著提高Bi2212超导材料临界电流密度的方法,其特征在于,步骤一中所述喷雾热解工艺的具体过程为:将SrCO3、CaCO3和Cu溶解于硝酸中,得到硝酸盐混合溶液,其中,(Sr+Ca)与Cu的原子比14:24,然后将硝酸盐混合溶液进行喷雾热解,得到热解粉末,将热解粉末分步裂解并研磨后,得到14:24的AEC相。
5.根据权利要求1所述的一种显著提高Bi2212超导材料临界电流密度的方法,其特征在于,步骤二中所述14:24的AEC相的加入质量为Bi2212粉体质量的1%~5%。
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