[发明专利]利用等离子球磨裂解合成高阶硅烷的方法有效
| 申请号： | 202111452067.5 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN114105148B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈涵斌;俞冬雷;汪晶 | 申请（专利权）人： | 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/04 | 分类号： | C01B33/04 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 李寰 |
| 地址： | 239500 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 等离子 裂解 合成 硅烷 方法 | ||
1.一种利用等离子球磨裂解合成高阶硅烷的方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一：在密闭的等离子球磨机腔室内装填入硅粉与催化剂粉体，在球磨腔室内施加电场形成等离子区域，辅助进行球磨；
步骤二：将甲硅烷气体连续通入等离子球磨机腔室内发生反应，并将反应后的气体连续排出腔室，反应后的气体为高阶硅烷，包括乙硅烷、丙硅烷及丁硅烷；
等离子球磨机腔室内的压力为0.05~1MPa、温度为150~400℃。
2.如权利要求1所述利用等离子球磨裂解合成高阶硅烷的方法，其特征在于：所述等离子球磨腔室内施加的电场采用介质阻挡放电的方式。
3.如权利要求1所述利用等离子球磨裂解合成高阶硅烷的方法，其特征在于：所述等离子球磨机腔室的放电气体为氢气、氦气、氖气、氩气、氪气及氙气中的一种或几种。
4.如权利要求1所述利用等离子球磨裂解合成高阶硅烷的方法，其特征在于：所述硅粉平均粒径为1~500μm。
5.如权利要求4所述利用等离子球磨裂解合成高阶硅烷的方法，其特征在于：所述催化剂粉体为锂、铁、钴、镍、铜、钯中的一种或几种。
6.如权利要求5所述利用等离子球磨裂解合成高阶硅烷的方法，其特征在于：所述催化剂粉体的平均粒径范围1~500μm。
7.如权利要求6所述利用等离子球磨裂解合成高阶硅烷的方法，其特征在于：所述催化剂粉体与所述硅粉的质量比为1：2~1：20。
8.如权利要求1所述利用等离子球磨裂解合成高阶硅烷的方法，其特征在于：所述甲硅烷气体温度为0~250℃。
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