[发明专利]反应室及刻蚀装置在审
申请号: | 202111452284.4 | 申请日: | 2021-12-01 |
公开(公告)号: | CN114171363A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 刘浩;吴惧;阮文中;张兴华 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 反应 刻蚀 装置 | ||
1.一种反应室,其特征在于,包括:
电极组件,包括相对设置的第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第二电极之间形成有反应腔;
缓冲板,与所述第二电极的边缘连接,所述缓冲板上开设有第一排气口;
第一调节件,与所述缓冲板活动连接,所述第一调节件用于调节所述第一排气口的面积。
2.根据权利要求1所述的反应室,其特征在于,所述第一调节件与所述缓冲板滑动连接,所述第一调节件用于打开或至少部分遮挡所述第一排气口。
3.根据权利要求2所述的反应室,其特征在于,所述第一调节件的滑动方向沿所述缓冲板与所述第二电极的连接边缘延伸。
4.根据权利要求1所述的反应室,其特征在于,所述缓冲板上开设有多个所述第一排气口;多个所述第一排气口沿所述缓冲板与所述第二电极的连接边缘的延伸方向并列设置。
5.根据权利要求1所述的反应室,其特征在于,所述缓冲板至少包括沿第一方向设置在所述第二电极相对两侧的两个子缓冲板,所述子缓冲板与所述第二电极一侧边缘连接;所述子缓冲板上开设有所述第一排气口。
6.根据权利要求5所述的反应室,其特征在于,所述缓冲板包括多个所述子缓冲板,多个所述子缓冲板围设在所述第二电极的边缘。
7.根据权利要求5或6所述的反应室,其特征在于,位于所述第二电极相对两侧的两个子缓冲板上的第一排气口在所述第一方向上至少部分重叠。
8.根据权利要求5或6所述的反应室,其特征在于,每个所述子缓冲板上开设有多个所述第一排气口,多个所述第一排气口沿所述子缓冲板与所述第二电极的连接边缘的延伸方向并列设置;位于所述第二电极相对两侧的两个子缓冲板上的多个第一排气口在所述第一方向上错位设置。
9.根据权利要求6所述的反应室,其特征在于,所述反应室包括多个所述第一调节件,多个所述第一调节件与多个所述子缓冲板一一对应活动连接,以调节对应所述子缓冲板上第一排气口的面积。
10.根据权利要求6所述的反应室,其特征在于,所述反应室包括多个侧板,多个所述侧板围合形成所述反应腔的侧壁;所述子缓冲板沿所述子缓冲板与所述第二电极连接边缘的延伸方向上的一端与所述侧板之间形成有第二排气口。
11.根据权利要求10所述的反应室,其特征在于,所述反应室还包括第二调节件,所述第二调节件与所述子缓冲板活动连接,所述第二调节件用于调节所述第二排气口的面积。
12.根据权利要求10所述的反应室,其特征在于,所述第一电极上开设有多个进气口;
所述进气口在所述缓冲板上的正投影与所述第一排气口至少部分重叠;和/或,
所述进气口在所述缓冲板上的正投影与所述第二排气口至少部分重叠。
13.根据权利要求10所述的反应室,其特征在于,所述反应室还包括排气组件,所述排气组件与所述第一排气口和所述第二排气口连通。
14.根据权利要求13所述的反应室,其特征在于,所述排气组件包括多个排气连接部,多个所述排气连接部与多个所述子缓冲板一一对应连接;所述排气连接部上设置有排气通道,所述排气通道的入口与对应所述子缓冲板上的第一排气口和第二排气口连通。
15.一种刻蚀装置,其特征在于,所述刻蚀装置包括:
权利要求1至14任一项所述的反应室;及
排气泵,所述排气泵与所述反应室中排气通道的出口连通。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司,未经TCL华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111452284.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。