[发明专利]芯片互连封装结构及芯片互连的封装方法在审
申请号: | 202111452332.X | 申请日: | 2021-12-01 |
公开(公告)号: | CN114171397A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 涂旭峰;王鑫璐 | 申请(专利权)人: | 矽磐微电子(重庆)有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/488 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 田婷 |
地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 互连 封装 结构 方法 | ||
1.一种芯片互连的封装方法,其特征在于,包括:
提供载板及第一芯片,其中所述第一芯片的正面形成有第一焊盘;
将所述第一芯片的正面朝向所述载板贴装;
在所述载板之上形成第一塑封层,以对所述第一芯片进行封装;
去除所述载板,并在所述第一塑封层靠近所述第一芯片正面的一侧形成凹槽;
至少在所述凹槽底面及侧面形成第一重布线层;
提供第二芯片,其中所述第二芯片的正面形成有第二焊盘;
放置所述第二芯片于所述凹槽底面的第一重布线层之上,其中所述第二芯片的背面朝向所述凹槽底面;
形成覆盖所述第一芯片和所述第二芯片的第二塑封层;
于所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第一重布线层和所述第二塑封层上形成第二重布线层,且所述第一焊盘和所述第一重布线层通过所述第二重布线层实现电连接。
2.如权利要求1所述的芯片互连的封装方法,其特征在于,所述第二芯片与所述凹槽侧面的第一重布线层之间存在间隙,所述第二塑封层还填充于所述间隙中。
3.如权利要求1所述的芯片互连的封装方法,其特征在于,所述第一重布线层位于所述凹槽的部分或全部的底面及侧面上。
4.如权利要求1所述的芯片互连的封装方法,其特征在于,所述第一重布线层从所述凹槽的侧面延伸至所述第一塑封层的顶面。
5.如权利要求1所述的芯片互连的封装方法,其特征在于,在所述第一塑封层靠近所述第一芯片正面的一侧形成所述凹槽之前,先以所述第一芯片在所述第一塑封层中的实际位置为基准,根据设计的所述第二芯片与所述第一芯片之间的理论距离,以确定所述凹槽在所述第一塑封层中的形成位置。
6.一种芯片互连封装结构,其特征在于,包括:
第一芯片,正面形成有第一焊盘;
第一塑封层,包覆所述第一芯片,且所述第一塑封层中形成有一凹槽,所述凹槽的开口与所述第一芯片的正面位于所述第一塑封层的同一侧;
第一重布线层,至少形成于所述凹槽的底面和侧面上;
第二芯片,位于所述凹槽中,所述第二芯片的正面形成有第二焊盘,且所述第二芯片的背面与所述凹槽底面的所述第一重布线层电连接;
第二塑封层,覆盖所述第一芯片和所述第二芯片;以及,
第二重布线层,形成于所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第一重布线层和所述第二塑封层上,且所述第一焊盘和所述第一重布线层通过所述第二重布线层实现电连接。
7.如权利要求6所述的芯片互连封装结构,其特征在于,所述第二芯片与所述凹槽侧面的第一重布线层之间存在间隙,所述第二塑封层还填充于所述间隙中,所述第二塑封层与所述第一塑封层的材料相同。
8.如权利要求6所述的芯片互连封装结构,其特征在于,所述第一重布线层位于所述凹槽的全部的底面及侧面上。
9.如权利要求6所述的芯片互连封装结构,其特征在于,所述第一重布线层从所述凹槽的侧面延伸至所述第一塑封层的顶面。
10.如权利要求6所述的芯片互连封装结构,其特征在于,所述第二塑封层暴露出所述第一重布线层,以使得所述第二重布线层与所述第一重布线层电连接;或者,所述第二塑封层覆盖所述第一重布线层,以使得所述第二重布线层贯穿所述第二塑封层以与所述第一重布线层电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽磐微电子(重庆)有限公司,未经矽磐微电子(重庆)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111452332.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造