[发明专利]一种去嵌方法、装置、设备和介质

权利要求书

1.一种去嵌方法，其特征在于，包括：

测量衬底上的被测结构的散射参数，所述被测结构包括器件、两个探针衬垫以及连接器件和探针衬垫的第一连线结构，每个所述探针衬垫包括信号衬垫和两个地线衬垫，所述第一连线结构包括连接所述器件和所述信号衬垫的第一子连线结构以及连接所述器件和所述地线衬垫的第二子连线结构；

获取预先测量的所述衬底上的开路去嵌结构以及直通去嵌结构的散射参数，所述开路去嵌结构包括所述两个探针衬垫，所述直通去嵌结构包括所述两个探针衬垫以及连接所述两个探针衬垫中的信号衬垫的第二连线结构，所述第二连线结构包括所述第一子连线结构以及连接所述第一子连线结构的第三连线结构；

仿真所述器件的参考金属线并获取所述参考金属线的散射参数，所述参考金属线的长度为所述器件的长度的一半，所述参考金属线的宽度与所述第一子连线结构的宽度相同；

根据所述被测结构、所述开路去嵌结构、所述直通去嵌结构以及所述参考金属线的散射参数获取所述器件的散射参数；

其中，所述被测结构、所述开路去嵌结构以及所述直通去嵌结构具有相同的尺寸。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述被测结构、所述开路去嵌结构、所述直通去嵌结构以及所述参考金属线的散射参数获取所述被测结构的散射参数，具体包括：

分别将所述被测结构、所述开路去嵌结构以及所述直通去嵌结构的散射参数转换为导纳参数；

根据所述直通去嵌结构以及所述参考金属线的散射参数获取理想直通去嵌结构的导纳参数；

根据所述理想直通去嵌结构的导纳参数、所述被测结构的导纳参数以及所述开路去嵌结构的导纳参数获取所述器件的导纳参数，并将所述器件的导纳参数转换为散射参数。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述直通去嵌结构以及所述参考金属线的散射参数获取理想直通去嵌结构的导纳参数，具体包括：

将所述参考金属线的散射参数转换为级联参数A_line；

利用所述直通去嵌结构的导纳参数Y_thru建立第一导纳参数矩阵和第二导纳参数矩阵

将所述第一导纳参数矩阵和第二导纳参数矩阵分别转换为第一级联参数和第二级联参数

根据所述第一级联参数第二级联参数以及参考金属线的级联参数A_line，计算理想直通去嵌结构的级联参数并将所述理想直通去嵌结构的级联参数转换为导纳参数

其中，所述第一导纳参数矩阵参数具体为：

所述第二导纳参数矩阵参数具体为：

其中，Y_thru(1，1)、Y_thru(1，2)、Y_thru(2，1)以及Y_thru(2，2)分别表示所述直通去嵌结构的导纳参数中第1行第1列、第1行第2列、第2行第1列以及第2行第2列的数值。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述理想直通去嵌结构的导纳参数、所述被测结构的导纳参数以及所述开路去嵌结构的导纳参数获取所述器件的导纳参数，并将所述器件的导纳参数转换为散射参数，具体包括：

根据所述开路去嵌结构的导纳参数计算所述信号衬垫和所述地线衬垫之间的导纳参数；

去除所述理想直通去嵌结构中所述信号衬垫和所述地线衬垫之间的导纳参数，获得第一导纳参数并将所述第一导纳参数转换为第一阻抗参数

根据所述第一阻抗参数构建第一方程和第二方程，并根据所述第一方程和所述第二方程获得所述第一子连线结构的阻抗参数以及所述第一子连线结构和所述衬底之间的导纳参数；

根据所述第一子连线结构的阻抗参数、所述第一子连线结构和所述衬底之间的导纳参数、所述信号衬垫和所述地线衬垫之间的导纳参数以及所述被测结构的导纳参数获取所述器件的导纳参数，并将所述器件的导纳参数转换为散射参数；

其中，所述第一方程具体为：

其中，所述第二方程具体为：

其中，和为第一阻抗参数的第1行第1列和第2行第1列的数值。