[发明专利]曝光辅助图案、掩膜版以及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种曝光辅助图案，其特征在于，包括：

至少一辅助图形，靠近掩膜版上的主图形设置，以在所述主图形曝光转移至基底上时，所述至少一辅助图形改善所述主图形的末端收缩，其中，每个所述辅助图形包括：

主体部，对应于所述主图形，且所述主体部的延伸方向与所述主图形的延伸方向平行；

端部，对应于所述主图形的末端，其中，所述端部连接所述主体部，且所述端部的宽度大于所述主体部的宽度，所述主体部与所述主图形之间的距离大于所述端部与所述主图形的末端之间的距离。

2.根据权利要求1所述的曝光辅助图案，其特征在于，

所述端部包括连接所述主体部的第一端和远离所述主体部的第二端，其中，所述主图形的末端在所述辅助图形上的投影不超过所述第二端。

3.根据权利要求1所述的曝光辅助图案，其特征在于，包括：

两条所述辅助图形，对称设置在所述主图形的两侧。

4.根据权利要求1所述的曝光辅助图案，其特征在于，所述主图形包括多个子图形，在靠近每个所述子图形的位置均设置至少一辅助图形或在相邻两个所述子图形之间设置一复用的辅助图形，以减小每个所述子图形的末端的收缩长度。

5.根据权利要求1所述的曝光辅助图案，其特征在于，

所述主图形包括条状的第一图形；

所述辅助图形的所述主体部包括条状的第二图形，且所述第二图形平行于所述第一图形。

6.根据权利要求1所述的曝光辅助图案，其特征在于，所述端部的宽度为所述主体部的宽度的1.2-1.6倍。

7.根据权利要求2所述的曝光辅助图案，其特征在于，所述主图形的末端在所述辅助图形上的投影至所述第二端的距离，为所述端部的长度的0.3-0.6倍。

8.根据权利要求1所述的曝光辅助图案，其特征在于，所述辅助图形的所述主体部的宽度为所述主图形的宽度的0.3-0.6倍。

9.根据权利要求1所述的曝光辅助图案，其特征在于，所述辅助图形的所述主体部至所述主图形的距离，为所述主图形的宽度的0.7-1.3倍。

10.一种掩膜版，其特征在于，包括：

主图形；

曝光辅助图案，为上述权利要求1-9任意一项所述的曝光辅助图案。

11.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底的表面覆盖有光刻胶层；

采用如权利要求10所述的掩膜版对所述光刻胶层进行光刻，以将所述掩膜版上的主图形转移到所述光刻胶层上，形成图案化的光刻胶层；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述基底进行刻蚀，以将所述掩膜版上的主图形完整地转移到所述基底上；以及，

去除所述图案化的光刻胶层。