[发明专利]消除抛光后晶圆表面残留印记及微小颗粒的清洗方法在审
| 申请号： | 202111453357.1 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN114141610A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 连坤;王金翠;刘桂银;张秀全;孙丙瑞;王有贵;李道玉 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 消除 抛光 后晶圆 表面 残留 印记 微小 颗粒 清洗 方法 | ||
1.一种消除抛光后晶圆表面残留印记及微小颗粒的清洗方法，其特征在于，包括：
使用纯水对抛光后的晶圆进行初级清洗；
使用乙醇对初级清洗后的所述晶圆表面进行擦拭清洁，并在清洁完成后对晶圆使用纯水进行首次浸泡；
使用第一清洗溶液对使用所述纯水首次浸泡后的晶圆进行浸泡清洗，并对经过所述第一清洗溶液浸泡的晶圆使用纯水进行二次浸泡；
使用第二清洗溶液对使用所述纯水二次浸泡后的晶圆进行浸泡清洗，并对经过所述第二清洗溶液浸泡的晶圆使用纯水进行三次浸泡；
使用第三清洗溶液对使用所述纯水三次浸泡后的晶圆进行浸泡清洗，并对经过所述第三清洗溶液浸泡的晶圆使用纯水进行四次浸泡；
使用第一清洗溶液对使用所述纯水四次浸泡后的晶圆进行浸泡清洗，并对经过所述第一清洗溶液浸泡的晶圆使用纯水进行五次浸泡；
对所述五次浸泡在纯水中的晶圆，通入二氧化碳气体进行兆声清洗，并甩干清洗完成后的晶圆。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述乙醇的浓度为98％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一清洗溶液的成分配比具体为：氨水：双氧水：水＝1:1:5-15。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二清洗溶液的成分配比具体为：盐酸：双氧水：水＝1:1:5-15。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三清洗溶液的成分配比具体为：硫酸：双氧水＝5-9:1。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三清洗溶液的温度控制在100-120摄氏度。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一清洗溶液和所述第二清洗溶液的温度控制在50-70摄氏度。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纯水浸泡的温度控制在50-70摄氏度。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述甩干步骤具体为：将所述清洗完成后的晶圆放置在真空吸盘上，通过启动干燥设备将吸附在所述真空吸盘上的晶圆进行高速旋转，甩干所述晶圆。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纯水放置在热水槽中，所述热水槽适用于晶片厚度为0.19-0.75毫米的晶片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
