[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202111453919.2 | 申请日: | 2021-12-01 |
公开(公告)号: | CN114649375A | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 尹柱元;梁泰勳 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
提供了一种显示设备,所述显示设备包括:基底,包括其中布置有显示元件的显示区域;第一薄膜晶体管,布置在显示区域中,并且包括第一半导体层和与第一半导体层绝缘的第一栅电极,第一半导体层包括硅半导体;第一层间绝缘层,覆盖第一栅电极;第二薄膜晶体管,在第一层间绝缘层上,并且包括第二半导体层和与第二半导体层绝缘的第二栅电极,第二半导体层包括氧化物半导体;以及上电极,布置在第一层间绝缘层上,并且包括与第二半导体层的材料相同的材料,并且至少与第一栅电极叠置。
本申请以于2020年12月18日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0178926号韩国专利申请为基础并且要求其优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开总体上涉及一种显示设备,更具体地,涉及一种经由包括硅半导体的薄膜晶体管和包括氧化物半导体的薄膜晶体管驱动的显示设备。
背景技术
通常,显示设备包括显示元件和控制施加到显示元件的电信号的驱动电路。驱动电路包括薄膜晶体管(TFT)、存储电容器和多条线。
为了精准控制是否允许显示元件发光以及发光程度,已经增加了电连接到单个显示元件的薄膜晶体管的数量。因此,积极地开展开发一种解决显示设备的高集成度和功耗的新方法是有必要的。
发明内容
一个或更多个实施例包括一种显示设备,该显示设备经由包括硅半导体的薄膜晶体管和包括氧化物半导体的薄膜晶体管而被驱动,从而减少显示设备的功耗并且还允许显示设备的高集成度。
然而,以上目的是示例,本公开的实施例的范围不限于以上目的。
其他方面将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地将通过描述而明显,或者可以通过实践所呈现的公开的实施例来获知。
根据一个或更多个实施例,一种显示设备包括:基底,包括其中布置有显示元件的显示区域;第一薄膜晶体管,布置在显示区域中,并且包括包含硅半导体的第一半导体层和与第一半导体层绝缘的第一栅电极;第一层间绝缘层,覆盖第一栅电极;第二薄膜晶体管,设置在第一层间绝缘层上,并且包括第二半导体层和与第二半导体层绝缘的第二栅电极,第二半导体层包括氧化物半导体;以及上电极,布置在第一层间绝缘层上,并且包括与第二半导体层的材料相同的材料,并且与第一栅电极的至少一部分叠置。
显示设备还可以包括与第一栅电极布置在同一层上的下电极,其中,下电极和上电极构成电容器。
第一栅电极和下电极可以一体地形成。
上电极的至少一部分可以被赋予导电性。
具有封闭形状的开口可以形成在上电极中。
显示设备还可以包括覆盖第一半导体层的第一栅极绝缘层。
第二薄膜晶体管还可以包括设置在第一栅极绝缘层上的第三栅电极,并且第三栅电极可以与第二半导体层至少部分地叠置。
显示设备还可以包括设置在第二半导体层与第二栅电极之间的第二栅极绝缘层。
显示设备还可以包括在第二栅电极上的第二层间绝缘层。
显示设备还可以包括布置在第二栅极绝缘层上的第一电极。
显示设备还可以包括第二电极,第二电极设置在第二层间绝缘层上并且包括电连接到上电极的一端和电连接到第一电极的另一端。
显示设备还可以包括覆盖第二电极的平坦化层,其中,显示元件包括布置在平坦化层上的有机发光二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的