[发明专利]废气处理装置的控制方法及废气处理装置

说明书

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种废气处理装置的控制方法及废气处理装置，废气处理装置的控制方法包括：获取通入反应腔的废气类型；根据废气类型获取设定温度；根据设定温度调节反应腔的加热温度。本发明根据不同类型废气处理所需要的反应温度不同，传送不同的信号至废气处理装置，控制反应腔的加热温度的高低，即控制为反应腔提供加热温度的燃料CH₄，CDA，O₂等能源用量，实现能源利用的最大化，减少能源浪费，以此实现对能源用量进行控制保证节能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种废气处理装置的控制方法及废气处理装置。

背景技术

在半导体制造、液晶面板制造中废气处理装置是很重要的一个附属设备，设备运行时会消耗大量的能源，例如，CH4，CDA，O2等能源，由于根据不同工艺制程所需要的反应温度不同，现有的废气处理装置无法根据实际所需的反应温度控制能源用量，难以实现能源利用的最大化。容易造成能源浪费。

发明内容

本发明提供一种废气处理装置的控制方法及废气处理装置，用以解决现有技术中废气处理装置无法根据实际所需的反应温度控制能源用量，难以实现能源利用的最大化。容易造成能源浪费的缺陷，实现能源利用的最大化，减少能源浪费，对能源用量进行控制保证节能的效果。

本发明提供一种废气处理装置的控制方法，包括：

获取通入反应腔的废气类型；

根据废气类型获取设定温度；

根据设定温度调节反应腔的加热温度。

根据本发明提供的一种废气处理装置的控制方法，所述根据设定温度调节反应腔的加热温度的步骤包括：

获取反应腔的加热温度；

根据加热温度与设定温度，调节进入反应腔的燃烧气体的流量。

根据本发明提供的一种废气处理装置的控制方法，所述根据加热温度与设定温度，调节进入反应腔的燃烧气体的流量的步骤包括：

确定加热温度等于设定温度；

保持进入反应腔的燃烧气体的流量。

根据本发明提供的一种废气处理装置的控制方法，所述根据加热温度与设定温度，调节进入反应腔的燃烧气体的流量的步骤包括：

确定加热温度不等于设定温度；

调节进入反应腔的燃烧气体的流量。

根据本发明提供的一种废气处理装置的控制方法，所述调节进入反应腔的燃烧气体的流量的步骤包括：

调节进入反应腔的燃料气体的流量。

根据本发明提供的一种废气处理装置的控制方法，所述调节进入反应腔的燃烧气体的流量的步骤包括：

调节进入反应腔的助燃气体的流量。

本发明还提供一种废气处理装置，应用于如上所述的废气处理装置的控制方法，包括反应腔、进气组件和控制器，所述控制器与所述进气组件连接，所述进气组件与所述反应腔连通。

根据本发明提供的一种废气处理装置，所述进气组件包括燃料气体供给系统和助燃气体供给系统。

根据本发明提供的一种废气处理装置，还包括测温组件，测温组件设置于所述反应腔内并与所述控制器连接。

本发明提供的废气处理装置的控制方法，半导体制造装置将通入废气处理装置的反应腔内的废气类型发送至控制器，控制器获取废气类型后处理获得设定温度，设定温度为处理相对应类型废气时反应腔所要达到的温度，控制器根据获得的设定温度向废气处理装置发送指令，从而控制反应腔的加热温度。