[发明专利]一种磷化铟的减薄抛光方法有效
申请号: | 202111455364.5 | 申请日: | 2021-12-01 |
公开(公告)号: | CN114131434B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 孙锦洋 | 申请(专利权)人: | 成都海威华芯科技有限公司 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;B24B19/22;B24B37/00 |
代理公司: | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 杜朗宇 |
地址: | 610299 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磷化 抛光 方法 | ||
1.一种磷化铟的减薄抛光方法,其特征在于,包括:
(1)将磷化铟晶圆放在铺满研磨液的研磨机上进行研磨;研磨液以6~100ml/min的流量滴在旋转盘上,转速范围为30rpm/min;
(2)将磷化铟晶圆放在铺满抛光液的抛光机上进行抛光,抛光液以15ml/min的流量滴在抛光垫上;
(1)中晶圆受力范围0.15~0.8g/cm2,研磨速率为5~20μm/min;
(2)中抛光机转速范围为20~90rpm/min,晶圆受力范围0.15~0.8kg/cm2。
2.根据权利要求1所述的减薄抛光方法,其特征在于,磷化铟晶圆研磨前还包括如下步骤:用酸漂洗磷化铟晶圆和载片,干燥后在载片上涂粘合剂,固化后将磷化铟晶圆与载片进行键合。
3.根据权利要求2所述的减薄抛光方法,其特征在于,所述酸为5~20%盐酸;
所述粘合剂为石蜡粘合剂;涂粘合剂的厚度为3~10μm;
固化的温度为90~120℃。
4.根据权利要求3所述的减薄抛光方法,其特征在于,所述酸为10%的盐酸;固化的温度100℃。
5.根据权利要求2所述的减薄抛光方法,其特征在于,键合的温度为90~120℃,键合时间为3~8min,键合压力0.25~0.50Mpa。
6.根据权利要求5所述的减薄抛光方法,其特征在于,键合的温度为100℃,键合时间为5min,键合压力0.35Mpa。
7.根据权利要求1所述的减薄抛光方法,其特征在于,磷化铟晶圆减薄后的厚度为120~160μm。
8.根据权利要求1所述的减薄抛光方法,其特征在于,(1)中的研磨液质量浓度为15~25%,研磨液的组分配比为氧化铝:水:助磨剂=150~250g:900~1100ml:25~35ml;
所述助磨剂为羧酸盐。
9.根据权利要求8所述的减薄抛光方法,其特征在于,研磨液的组分配比为氧化铝:水:助磨剂= 200g:1000ml:30ml。
10.根据权利要求1所述的减薄抛光方法,其特征在于,(2)中抛光液为含次氯酸钠的氧化铝溶液,pH=11.5~12.5;溶液中,所述氧化铝粒径0.2~0.5μm,含量为11~15%。
11.根据权利要求1所述的减薄抛光方法,其特征在于,对完成化学机械抛光的磷化铟晶圆进行清洗;使用NMP、IPA清洗浸泡。
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