[发明专利]一种磷化铟的减薄抛光方法有效

专利信息
申请号: 202111455364.5 申请日: 2021-12-01
公开(公告)号: CN114131434B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 孙锦洋 申请(专利权)人: 成都海威华芯科技有限公司
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00;B24B19/22;B24B37/00
代理公司: 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 杜朗宇
地址: 610299 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 磷化 抛光 方法
【权利要求书】:

1.一种磷化铟的减薄抛光方法,其特征在于,包括:

(1)将磷化铟晶圆放在铺满研磨液的研磨机上进行研磨;研磨液以6~100ml/min的流量滴在旋转盘上,转速范围为30rpm/min;

(2)将磷化铟晶圆放在铺满抛光液的抛光机上进行抛光,抛光液以15ml/min的流量滴在抛光垫上;

(1)中晶圆受力范围0.15~0.8g/cm2,研磨速率为5~20μm/min;

(2)中抛光机转速范围为20~90rpm/min,晶圆受力范围0.15~0.8kg/cm2

2.根据权利要求1所述的减薄抛光方法,其特征在于,磷化铟晶圆研磨前还包括如下步骤:用酸漂洗磷化铟晶圆和载片,干燥后在载片上涂粘合剂,固化后将磷化铟晶圆与载片进行键合。

3.根据权利要求2所述的减薄抛光方法,其特征在于,所述酸为5~20%盐酸;

所述粘合剂为石蜡粘合剂;涂粘合剂的厚度为3~10μm;

固化的温度为90~120℃。

4.根据权利要求3所述的减薄抛光方法,其特征在于,所述酸为10%的盐酸;固化的温度100℃。

5.根据权利要求2所述的减薄抛光方法,其特征在于,键合的温度为90~120℃,键合时间为3~8min,键合压力0.25~0.50Mpa。

6.根据权利要求5所述的减薄抛光方法,其特征在于,键合的温度为100℃,键合时间为5min,键合压力0.35Mpa。

7.根据权利要求1所述的减薄抛光方法,其特征在于,磷化铟晶圆减薄后的厚度为120~160μm。

8.根据权利要求1所述的减薄抛光方法,其特征在于,(1)中的研磨液质量浓度为15~25%,研磨液的组分配比为氧化铝:水:助磨剂=150~250g:900~1100ml:25~35ml;

所述助磨剂为羧酸盐。

9.根据权利要求8所述的减薄抛光方法,其特征在于,研磨液的组分配比为氧化铝:水:助磨剂= 200g:1000ml:30ml。

10.根据权利要求1所述的减薄抛光方法,其特征在于,(2)中抛光液为含次氯酸钠的氧化铝溶液,pH=11.5~12.5;溶液中,所述氧化铝粒径0.2~0.5μm,含量为11~15%。

11.根据权利要求1所述的减薄抛光方法,其特征在于,对完成化学机械抛光的磷化铟晶圆进行清洗;使用NMP、IPA清洗浸泡。

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