[发明专利]一种超薄可拉伸薄膜电极的制备方法在审
| 申请号： | 202111455377.2 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN114360809A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 刘志远;李光林;谢瑞杰;赵阳;于玫;李韩飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;A61B5/268 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 范盈;李玉娜 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 拉伸 薄膜 电极 制备 方法 | ||
1.一种超薄可拉伸薄膜电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)液体表面铺展法制备超薄可拉伸基底：
将二甲基硅氧烷与交联剂混合后，滴于水相液面，得到铺展的薄膜，加热预固化后得到聚二甲基硅氧烷薄膜；将聚二甲基硅氧烷薄膜转移到环形衬底上得到电极基底；
(2)热蒸镀法制备超薄可拉伸薄膜电极：
将步骤(1)得到的电极基底吸附在硅片上，并在电极基底上的聚二甲基硅氧烷薄膜上蒸镀金属导电层，得到所述电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述聚二甲基硅氧烷薄膜的厚度为3μm～30μm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述预固化的固化温度为40～120℃，固化时间优选为45～120min；
优选地，步骤(1)中，所述预固化为60℃固化60min。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述预固化得到的聚二甲基硅氧烷薄膜的杨氏模量不超过700kPa。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述二甲基硅氧烷与交联剂的质量比为5～15:1。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述蒸镀的蒸镀速率为优选为
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述蒸镀金属导电层的厚度为100nm～300nm，优选为150nm。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述金属导电层的金属选自金、银、铂、钛、铱和铂铱合金中的任意一种。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述硅片上设置有牺牲层，所述牺牲层通过旋涂法制备。
10.根据权利要求1-9任一所述的制备方法得到的超薄可拉伸薄膜电极。
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