[发明专利]一种晶体管及其制作方法及电子设备

说明书

本申请提供了一种晶体管及其制作方法及电子设备，涉及半导体领域。该晶体管包括芯片本体与源漏电极，源漏电极设置于芯片本体的表层，其中，源漏电极包括：富铟层、位于富铟层一侧的氧化铝层、位于氧化铝层一侧的铝层以及位于铝层一侧的铜层。在本申请中氧化铝层可以有效地阻止铜原子向有源层扩散，同时，富铟层可以降低源漏电极与有源层之间的接触电阻，从而提升器件性能。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体而言，涉及一种晶体管及其制作方法及电子设备。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)，是一种用途广泛的半导体器件，主要用于显示器中驱动液晶排列变化、或驱动OLED像素发光等。薄膜晶体管的结构至少包含栅极、栅极绝缘层、有源层、和源漏电极。

通常，源漏电极选择铜电极，铜的电阻率和稳定性都十分理想，但是，铜电极沉积在有源层上之后，铜原子会向有源层扩散，从而劣化有源层的电学性能，并且还存在铜电极与有源层的接触电阻较高的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供了一种晶体管及其制作方法及电子设备，其能够有效避免铜原子向有源层扩散，并且降低接触电阻，提升器件性能。

为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供了一种晶体管，所述晶体管包括芯片本体与源漏电极，所述源漏电极设置于所述芯片本体的表层；

其中，所述源漏电极包括：

富铟层；

位于所述富铟层一侧的氧化铝层；

位于所述氧化铝层一侧的铝层；

位于所述铝层一侧的铜层。

可选的，所述芯片本体包括：

基板；

依次设置于所述基板上的底栅极以及栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述底栅极；

覆盖于所述栅极绝缘层上的有源层，所述有源层覆盖所述栅极绝缘层的中间部分，所述源漏电极分别覆盖于所述栅极绝缘层的两侧，所述源漏电极部分覆盖于所述有源层上。

可选的，所述芯片本体还包括钝化层，所述钝化层覆盖于所述有源层和所述源漏电极上。

可选的，所述富铟层的厚度为1-10nm。

可选的，所述氧化铝层的厚度为1-10nm。

可选的，所述铝层的厚度为10-1000nm。

可选的，所述铜层的厚度为10-2000nm。

第二方面，本申请还提供了一种晶体管制作方法，所述方法包括：

提供一芯片本体

所述芯片本体包括有源层，所述有源层为含铟氧化物；

在所述有源层的一侧沉积铝层；

在所述铝层的一侧沉积铜层；

对所述有源层以及所述铝层进行退火，使得部分所述铝层与所述有源层之间发生还原反应，形成富铟层与氧化铝层。

可选的，芯片本体的制作方法包括：

提供一基板；

在所述基板的一侧依次制作底栅极以及栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述底栅极；

在所述栅极绝缘层的一侧制作有源层，所述有源层覆盖所述栅极绝缘层的部分；

其中，所述有源层为含铟氧化物层。