[发明专利]三相电机的电信号采集系统和采集方法

权利要求书

1.一种三相电机的电信号采集系统，其特征在于，所述系统包括：三相桥臂驱动电路、微控制单元和第一电阻；

所述三相桥臂驱动电路包括U相上半桥臂、U相下半桥臂、V相上半桥臂、V相下半桥臂、W相上半桥臂和W相下半桥臂；

所述U相上半桥臂的第一端、所述V相上半桥臂的第一端和所述W相上半桥臂的第一端均用于与第一电源连接，所述U相上半桥臂的控制端、所述V相上半桥臂的控制端和所述W相上半桥臂的控制端分别与所述微控制单元的第一控制端、第二控制端和第三控制端连接，所述U相上半桥臂的第二端和所述U相下半桥臂的第一端均用于与三相电机的U相接线柱连接，所述V相上半桥臂的第二端和所述V相下半桥臂的第一端均用于与所述三相电机的V相接线柱连接，所述W相上半桥臂的第二端和所述W相下半桥臂的第一端均用于与所述三相电机的W相接线柱连接；

所述U相下半桥臂的控制端、所述V相下半桥臂的控制端和所述W相下半桥臂的控制端分别与所述微控制单元的第四控制端、第五控制端和第六控制端连接，所述U相下半桥臂的第二端、所述V相下半桥臂的第二端和所述W相下半桥臂的第二端均与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端接地；

所述微控制单元的第一检测端分别与所述U相下半桥臂的第一端和所述三相电机的U相接线柱连接，所述微控制单元的第二检测端分别与所述V相下半桥臂的第一端和所述三相电机的V相接线柱连接，所述微控制单元的第三检测端分别与所述W相下半桥臂的第一端和所述三相电机的W相接线柱连接，所述微控制单元的第四检测端与所述第一电阻的第一端连接。

2.如权利要求1所述的电信号采集系统，其特征在于，所述U相上半桥臂包括第二电阻和第一N沟道金属氧化物半导体管，所述U相下半桥臂包括第三电阻和第二N沟道金属氧化物半导体管；

所述第一N沟道金属氧化物半导体管的漏极用于与所述第一电源连接，所述第一N沟道金属氧化物半导体管的源极与所述第二N沟道金属氧化物半导体管的漏极连接，所述第一N沟道金属氧化物半导体管的栅极与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述微控制单元的第一控制端连接，所述第二N沟道金属氧化物半导体管的栅极与所述第三电阻的第一端连接，所述第三电阻的第一端与所述微控制单元的第四控制端连接，所述第二N沟道金属氧化物半导体管的源极与所述第一电阻的第一端连接；

所述第一N沟道金属氧化物半导体管的源极和所述第二N沟道金属氧化物半导体管的漏极均用于与所述三相电机的U相接线柱连接。

3.如权利要求2所述的电信号采集系统，其特征在于，所述U相上半桥臂还包括第四电阻和第一电容；

所述第四电阻和所述第一电容分别连接在所述第一N沟道金属氧化物半导体管的栅极和所述第一N沟道金属氧化物半导体管的源极之间；

所述U相下半桥臂还包括第五电阻和第二电容；

所述第五电阻和第二电容分别连接在所述第二N沟道金属氧化物半导体管的栅极和所述第二N沟道金属氧化物半导体管的源极之间。

4.如权利要求1所述的电信号采集系统，其特征在于，所述V相上半桥臂包括第六电阻和第三N沟道金属氧化物半导体管，所述V相下半桥臂包括第七电阻和第四N沟道金属氧化物半导体管；

所述第三N沟道金属氧化物半导体管的漏极用于与所述第一电源连接，所述第三N沟道金属氧化物半导体管的源极与所述第四N沟道金属氧化物半导体管的漏极连接，所述第三N沟道金属氧化物半导体管的栅极与所述第六电阻的第一端连接，所述第六电阻的第二端与所述微控制单元的第二控制端连接，所述第四N沟道金属氧化物半导体管的栅极与所述第七电阻的第一端连接，所述第七电阻的第二端与所述微控制单元的第五控制端连接，所述第四N沟道金属氧化物半导体管的源极与所述第一电阻的第一端连接；

所述第三N沟道金属氧化物半导体管的源极和所述第四N沟道金属氧化物半导体管的漏极均用于与所述三相电机的V相接线柱连接。