[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 202111459156.2 | 申请日: | 2021-12-02 |
公开(公告)号: | CN114188379A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 王敏 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 孟霞 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
TFT层,包括TFT;
辅助电极;
保护层,位于所述TFT层和所述辅助电极上;
连接层,位于所述保护层上,包括遮挡部,所述遮挡部和所述保护层设有底切开口;
第一电极,位于所述连接层上,电性连接于所述TFT;
第二电极,位于所述连接层上;以及
发光层,位于所述连接层上,电性连接于所述第一电极和所述第二电极;
其中,所述发光层在所述底切开口处断开,所述第二电极通过所述底切开口电性连接于所述辅助电极。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光层包括在所述底切开口处断开的第一部分,所述第二电极包括在所述底切开口处断开的第二部分,所述第二部分位于所述第一部分上,且通过所述底切开口电性连接于所述辅助电极。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第二部分通过所述底切开口直接接触所述辅助电极,所述第二部分与所述辅助电极的接触部分被所述遮挡部遮挡。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述TFT层包括源漏极层,所述源漏极层包括所述TFT的漏极,所述保护层设有第一开口,所述连接层包括连接部,所述第一电极在所述第一开口处通过所述连接部电性连接于所述TFT的所述漏极。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述辅助电极与所述漏极同层且材料相同。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述源漏极层还包括位于所述显示面板的非显示区的焊盘,所述保护层设有暴露所述焊盘的第四开口,所述连接层还包括通过所述第四开口电性连接于所述焊盘的保护部,在俯视视角下,所述保护部完全覆盖所述焊盘。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括位于所述第一电极、所述第二电极和所述发光层上的封装层、位于所述封装层和所述连接层之间的中间膜层以及填充层,所述中间膜层设有连通所述底切开口的第三开口,所述填充层填充所述第三开口并支撑所述封装层。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述中间膜层包括位于所述连接层和所述第一电极之间的平坦层,以及位于所述第一电极和所述发光层之间的像素定义层,所述第三开口设于所述第二电极、所述发光层、所述像素定义层和所述平坦层,所述填充层接触所述封装层。
9.一种显示面板,其特征在于,包括:
TFT层,包括TFT;
辅助电极;
保护层,位于所述TFT层和所述辅助电极上,设有第一开口;
连接层,位于所述保护层上,包括连接部和遮挡部,所述遮挡部与所述保护层设有第二开口,所述第二开口的下部宽度大于所述第二开口的上部宽度;
第一电极,位于所述连接层上;
第二电极,位于所述第一电极上;以及
发光层,位于所述第一电极和所述第二电极之间;
其中,所述连接层的材料包括钼和/或钛,所述第一电极在所述第一开口处通过所述连接部电性连接于所述TFT,所述发光层在所述第二开口处断开,所述第二电极通过所述第二开口电性连接于所述辅助电极。
10.一种显示装置,包括如权利要求1-9任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的