[发明专利]一种平面型微波传感器

权利要求书

1.一种平面型微波传感器，其特征在于：包括PCB板体，所述PCB板体由上往下四层结构设置，所述PCB板体的表层设置为电路层，PCB板体的底层设置为天线层，在天线层与电路层之间设有上中间地层和下中间地层，所述上中间地层设置在下中间地层上方，所述上中间地层与电路层之间设有介质Ⅰ，介质Ⅰ的厚度为0.6-0.8mm，所述下中间地层与天线层之间设有介质Ⅱ，介质Ⅱ的厚度为1.2-1.4mm；

所述天线层安装有收发天线；

所述电路层设有收发电路，收发电路包括依次电连接的振荡电路、混频电路、中频放大电路和中频处理模块；

所述振荡电路，用于产生微波信号，微波信号经收发天线向外发送；

所述混频电路，用于变频，当微波信号遇到移动物体时频率发生变化反射给收发天线，混频电路对收发天线接收到反射的微波信号进行频率转换，变频至低频信号；

所述中频放大电路，用于对低频信号进行放大滤波；

所述中频处理模块，对放大滤波后的低频信号进行处理判断，输出高低电平来指征是否存在移动物体。

2.根据权利要求1所述的平面型微波传感器，其特征在于：所述PCB板体的厚度为2.0mm。

3.根据权利要求1所述的平面型微波传感器，其特征在于：在2个中间地层之间设有介质Ⅲ。

4.根据权利要求3所述的平面型微波传感器，其特征在于：所述介质Ⅰ、介质Ⅱ、介质Ⅲ均采用FR4板。

5.根据权利要求1所述的平面型微波传感器，其特征在于：所述振荡电路包括振荡器、微带线MLIN1、微带线MLIN2、微带线MLIN3、电容C3、电容C4、电阻R1、电阻R2、双极结型晶体管Q1和电感L1；所述电阻R1一端与电容C3相接，电阻R1的另一端与微带线MLIN3连接，微带线MLIN3的另一端分别与电阻R2一端、双极结型晶体管Q1一端、微带线MLIN2一端和电容C4一端连接，电阻R2另一端与电感L1、微带线MLIN1、微带线MLIN2和电容C4一端连接依次连接，双极结型晶体管Q1另一端与电感L1一端、微带线MLIN1连接。

6.根据权利要求1所述的平面型微波传感器，其特征在于：改变微带线MLIN1长度，所述振荡器的工作频率也改变。

7.根据权利要求1所述的平面型微波传感器，其特征在于：所述混频电路包括混频器、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电感L2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、双极结型晶体管Q2；所述电阻R5一端与电容C6一端连接，电阻R5另一端分别与电阻R3的一端、电阻R4的一端连接，所述电阻R3的另一端与电容C7、电感L2、双极结型晶体管Q2的一端连接，所述双极结型晶体管Q2的另一端与电阻R4、电容C9、电容C8连接。

8.根据权利要求1所述的平面型微波传感器，其特征在于：所述振荡器和混频器通过电容C4连接、振荡器和天线通过天线层中的电容C5连接、混频器和天线通过天线层中的电容C5连接。

9.根据权利要求1所述的平面型微波传感器，其特征在于：所述介质Ⅰ的厚度为0.6mm，介质Ⅱ的厚度为1.2mm。