[发明专利]一种防霉抗菌陶瓷材料及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种防霉抗菌陶瓷材料，其特征在于，所述防霉抗菌陶瓷材料包括：掺杂有至少四种稀土离子的氟硅酸盐、纳米氧化钛、氧化锌和长余辉蓄光材料。

2.根据权利要求1所述的防霉抗菌陶瓷材料，其特征在于，所述稀土离子包括La³⁺、Eu³⁺、Tb³⁺、Y³⁺、Ce⁴⁺、Ho³⁺、Tb⁴⁺或Nd³⁺中的至少四种的组合。

3.根据权利要求1或2所述的防霉抗菌陶瓷材料，其特征在于，所述稀土离子按照氧化物计占所述氟硅酸盐的0.1～0.8％；

优选地，所述氟硅酸盐包括CaSiF₆。

4.根据权利要求1～3任一项所述的防霉抗菌陶瓷材料，其特征在于，所述纳米氧化钛的粒径为1～70nm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的防霉抗菌陶瓷材料，其特征在于，所述长余辉蓄光材料包括Dy和Nb激活的CaAl₃O₄、Sr₄Al₁₄O₂₅或SrAl₂O₄中的任意一种或至少两种的组合。

6.根据权利要求1～5任一项所述的防霉抗菌陶瓷材料，其特征在于，所述防霉抗菌陶瓷材料还包括高岭土、减水剂、增强剂和石英；

优选地，所述减水剂包括腐植酸钠和/或三聚偏磷酸钠；

优选地，所述增强剂包括针状硅灰石和膨润土；

优选地，所述针状硅灰石和膨润土的质量比为1:0.5～0.8。

7.根据权利要求6所述的防霉抗菌陶瓷材料，其特征在于，所述防霉抗菌陶瓷材料按质量份数包括：

8.一种根据权利要求1～7任一项所述的防霉抗菌陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

(1)混合掺杂有至少四种稀土离子的氧化物和氟硅酸盐，熔化、造粒、一次退火和冷却，得到所述掺杂有至少四种稀土离子的氟硅酸盐；

(2)混合所述掺杂有至少四种稀土离子的氟硅酸盐、纳米氧化钛、氧化锌、长余辉蓄光材料、高岭土、减水剂、增强剂和石英，煅烧和二次退火，得到所述防霉抗菌陶瓷材料。

9.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述熔化的温度为1300～1600℃；

优选地，所述一次退火的温度为700～800℃；

优选地，所述一次退火的时间为20～40min；

优选地，所述冷却为冷却至室温；

优选地，步骤(2)中所述煅烧为程序升温煅烧；

优选地，所述煅烧的终温为1000～1300℃；

优选地，所述煅烧的升温速率为3～5℃/min；

优选地，所述二次退火的温度为500～600℃；

优选地，所述二次退火的时间为30～90min。

10.一种根据权利要求1～7任一项所述的防霉抗菌陶瓷材料在医用陶瓷中的用途。