[发明专利]一种便携式石墨烯电极阵列传感器在审
| 申请号： | 202111462217.0 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114019002A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 于葛亮;王扬华;周旭波 | 申请（专利权）人： | 无锡费曼科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 谌伟 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市惠*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 便携式 石墨 电极 阵列 传感器 | ||
1.一种便携式石墨烯电极阵列传感器，包括阵列电路板(1)，所述阵列电路板(1)上设有若干通过阵列电路(2)连接的石墨烯传感器单元(3)，其特征在于，所述石墨烯传感器单元(3)包括绝缘衬底(31)，所述绝缘衬底(31)上外延生长有活性层(32)，所述活性层(32)上外延生长有一层或多层异质量子点结构(33)，所述异质量子点结构(33)上外延生长有石墨烯层(34)，所述石墨烯层(34)为三维石墨烯纳米墙或二维石墨烯薄膜，其厚度为10-50nm。
2.根据权利要求1所述的一种便携式石墨烯电极阵列传感器，其特征在于，所述异质量子点结构(33)包括间隔设置的诱导层(331)和间隔层(332)，位于同层的所述诱导层(331)相比所述间隔层(332)靠近所述绝缘衬底(31)一侧。
3.根据权利要求2所述的一种便携式石墨烯电极阵列传感器，其特征在于，所述间隔层(332)为GaAs层，所述诱导层(331)为InAs层。
4.根据权利要求1所述的一种便携式石墨烯电极阵列传感器，其特征在于，所述阵列电路板(1)上开有凹槽(4)，所述石墨烯传感器单元(3)与所述阵列电路板(1)贴合，并将所述凹槽(4)遮蔽。
5.根据权利要求4所述的一种便携式石墨烯电极阵列传感器，其特征在于，所述凹槽(4)位于所述石墨烯传感器单元(3)正中央，其面积为石墨烯传感器单元(3)面积的25％-80％。
6.根据权利要求1所述的一种便携式石墨烯电极阵列传感器，其特征在于，所述阵列电路(2)包括纵向电路和横向电路，分布于各个石墨烯传感器单元(3)之间，与各个石墨烯传感器单元(3)两端连接，并通过模拟开关(5)控制石墨烯传感器单元(3)的选通。
7.根据权利要求1所述的一种便携式石墨烯电极阵列传感器，其特征在于，所述石墨烯层(34)上修饰有不同的反应膜层，分别制备为工作电极(341)、对电极(342)或参比电极(343)。
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