[发明专利]一种邻层环栅纳米线/片CMOS结构在审
| 申请号： | 202111462244.8 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114628384A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陈超 | 申请（专利权）人： | 常熟西军电技术转移有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 上海远诺知识产权代理事务所(普通合伙) 31397 | 代理人： | 尹晓雪 |
| 地址： | 215505 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 邻层环栅 纳米 cmos 结构 | ||
1.一种邻层环栅纳米线/片CMOS结构，其特征在于，包括：衬底；所述衬底上设置有串行连接的nMOS和pMOS；所述nMOS包括第一纳米体结构和环绕所述第一纳米体结构的第一栅电极，所述pMOS包括第二纳米体结构和环绕所述第二纳米体结构的第二栅电极；
所述第一纳米体结构和所述第二纳米体结构设置于相邻的两层；且由相同导电类型的半导体材料形成；
所述第一栅电极与所述第二栅电极由相同功函数的导电材料形成；
所述衬底材料为体Si或SOI；
所述第一纳米体结构的材料为Si，所述第二纳米体结构的材料为SiGe。
2.根据权利要求1所述的邻层环栅纳米线/片CMOS结构，其特征在于，所述第一纳米体结构与所述第二纳米体结构的材料为掺杂浓度相同的n型半导体材料。
3.根据权利要求1所述的邻层环栅纳米线/片CMOS结构，其特征在于，所述第一纳米体结构与所述第二纳米体结构的材料为掺杂浓度相同的p型半导体材料。
4.根据权利要求2所述的邻层环栅纳米线/片CMOS结构，其特征在于，所述第一栅电极和所述第二栅电极的功函数的范围为4.6～5.1eV。
5.根据权利要求3所述的邻层环栅纳米线/片CMOS结构，其特征在于，所述第一栅电极和所述第二栅电极的功函数的范围为4.1～4.5eV。
6.根据权利要求1所述的邻层环栅纳米线/片CMOS结构，其特征在于，所述第一栅电极与所述第二栅电极为同一导电材料。
7.根据权利要求1所述的邻层环栅纳米线/片CMOS结构，其特征在于，所述nMOS的第一源极区、第一漏极区为n型掺杂，所述pMOS的第二源极区、第二漏极区为p型掺杂。
8.根据权利要求1所述的邻层环栅纳米线/片CMOS结构，其特征在于，所述第一纳米体结构包括至少一个第一纳米体，在所述第一纳米体的数量大于或者等于两个时，所有所述第一纳米体呈堆叠方式排列，所述第二纳米体结构包括至少一个第二纳米体，在所述第二纳米体的数量大于或者等于两个时，所有所述第二纳米体呈堆叠方式排列。
9.根据权利要求1或8所述的邻层环栅纳米线/片CMOS结构，其特征在于，所述第一纳米体结构和所述第二纳米体结构的导电类型在外延生长叠层结构时形成，或后续过程形成。
10.根据权利要求1或8所述的邻层环栅纳米线/片CMOS结构，其特征在于，所述第一纳米体结构和所述第二纳米体结构同时一次制备；所述第一栅电极和所述第二栅电极同时一次制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
