[发明专利]一种用于超小尺寸单片晶圆的清洗取干装置在审
申请号: | 202111463257.7 | 申请日: | 2021-12-03 |
公开(公告)号: | CN114005773A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 王文和;蔡永礼;朱伟然;卢刘振;叶曲波 | 申请(专利权)人: | 上海思恩装备科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02 |
代理公司: | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人: | 郭瑞 |
地址: | 201611 上海市松*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 尺寸 单片 清洗 装置 | ||
本发明涉及一种用于超小尺寸单片晶圆的清洗取干装置。属于单片晶圆技术领域。其主要针对人工清洗吹扫带来的人体危害和成批清洗造成清洗均匀性不好以及吹扫取干极其不方便的问题,提出如下技术方案包括真空泵旋转机构、摆臂旋转机构、工艺槽组件和工艺槽盖组件,真空泵旋转机构连接在工艺槽组件的下方,摆臂旋转机构连接在工艺槽组件的内部。本发明通过设置旋转气缸、摆臂杆和直角弯头。而且同时可以满足圆片、方片和一些特殊形状晶片的清洗取干要求;解决了单片晶圆清洗后表面残留化学液的问题,极大提高了晶圆表面的洁净度,有效增加了单片清洗工艺的产量,降低了生产成本,并且它又是一个简单且易于推广的装置。
技术领域
本发明涉及单片晶圆技术领域,具体为一种用于超小尺寸单片晶圆的清洗取干装置。
背景技术
目前,大尺寸晶圆在清洗中已经没有问题,难点在于小尺寸晶圆清洗并且取干,小晶圆因为尺寸长宽不超过10mm,厚度为1mm左右,在清洗中容易破损,并且表面容易残留化学试剂或水迹,如何解决这些难题成为越来越重要的课题。针对这一问题,本发明的方法为喷嘴直接正对晶圆表面喷淋化学液和兆声纯水,最后在进行吹扫取干,确保每个区域都能均匀的吹扫,在基于本专利的一台设备上取得了成功,得到了大量数据的证明。而且目前超小尺寸晶圆清洗吹扫工艺主要有以下两种方法:一、人工清洗吹扫,人工将晶圆放置在化学液中清洗,清洗完成后手工用氮气枪吹扫;其中若是采用盐酸加去离子水祛除表面的金属污染颗粒时,很容易在空气中产生酸碱气体,损害人体健康;二、采用自动机械手方式抓取放置晶圆的花篮成批清洗,在不放篮的情况下在工位槽里清洗,但是该晶圆尺寸较小的清洗下,晶圆在花篮中很可能会有死角存在,清洗出来的硅片均匀性不好,且吹扫取干及其不方便。
发明内容
(一)解决的技术问题
本发明的目的是针对人工清洗吹扫带来的人体危害以及自动机械手方式抓取放置晶圆的花篮成批清洗导致的清洗均匀性不好以及吹扫取干极其不方便的问题,提出一种用于超小尺寸单片晶圆的清洗取干装置。
(二)技术方案
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种用于超小尺寸单片晶圆的清洗取干装置,包括真空泵旋转机构、摆臂旋转机构、工艺槽组件和工艺槽盖组件,真空泵旋转机构连接在工艺槽组件的下方,摆臂旋转机构连接在工艺槽组件的内部,工艺槽盖组件连接在工艺槽组件的上方。
作为本发明的一种优选技术方案,真空泵旋转机构包括第一伺服电机、防水座、旋转头和晶片适配器,所述第一伺服电机的输出端连接有轴转杆,所述防水座连接在第一伺服电机的上方,所述旋转头连接在轴转杆的一端,所述晶片适配器连接在旋转头上。
作为本发明的一种优选技术方案,摆臂旋转机构包括第二伺服电机、旋转气缸和摆臂杆,所述旋转气缸连接在第二伺服电机的上方,所述摆臂杆连接在旋转气缸的上方,所述摆臂杆的端部贯通连接有输液管,所述输液管的端部固定连接有直角弯头,所述直角弯头的下端固定连接有喷嘴。
作为本发明的一种优选技术方案,工艺槽组件包括工艺槽四周板、排液管路和溅水挡板,所述排液管路连接在工艺槽四周板的侧边,且与工艺槽四周板侧壁贯通,所述溅水挡板连接在工艺槽四周板的内壁,所述工艺槽四周板的内底壁连接有密封法兰。
作为本发明的一种优选技术方案,工艺槽盖组件包括工艺槽体、气缸主体、槽盖旋臂底座、气缸安装底座、槽盖传感器安装板、槽盖旋转臂和槽盖主体,所述工艺槽体连接在工艺槽四周板的上方,所述气缸主体连接在工艺槽体的侧边,所述槽盖旋臂底座连接在工艺槽四周板的上方,所述气缸安装底座连接在工艺槽体的一侧,且通过转轴与气缸主体转动连接,所述槽盖旋转臂通过转轴与槽盖旋臂底座转动连接,所述槽盖传感器安装板连接在槽盖旋转臂的一端,所述槽盖主体连接在槽盖旋转臂上。
作为本发明的一种优选技术方案,所述第一伺服电机连接在工艺槽组件中工艺槽四周板的下方,且输出端贯穿工艺槽四周板的底壁设计。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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