[发明专利]一种高膨胀低烟量导热无卤阻燃单双面胶及制备与应用有效

专利信息
申请号: 202111463929.4 申请日: 2021-12-02
公开(公告)号: CN113980591B 公开(公告)日: 2023-04-25
发明(设计)人: 刘新宝 申请(专利权)人: 东莞市墨田科技实业有限公司
主分类号: C09J7/21 分类号: C09J7/21;C09J7/30;C09J7/25;C09J133/08;C09J11/04;C09J11/06;H05K7/20
代理公司: 广州市科丰知识产权代理事务所(普通合伙) 44467 代理人: 罗啸秋
地址: 523540 广东省东莞市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 膨胀 低烟量 导热 阻燃 双面 制备 应用
【权利要求书】:

1.一种高膨胀低烟量导热无卤阻燃单双面胶的制备方法,其特征在于,包括如下制备步骤:

(1)将IFR、抑烟剂及导热填料加入到疏水硅溶胶中搅拌混合均匀,真空干燥,粉碎,得到表面修饰的功能粉料;

(2)将丙烯酸酯胶与稀释溶剂及交联剂搅拌溶解均匀,得到胶液;

(3)将步骤(1)所得表面修饰的功能粉料与步骤(2)的胶液搅拌混合均匀,得到溶剂型阻燃胶;

(4)将步骤(3)的溶剂型阻燃胶涂覆于离型膜上,得到无载体结构双面胶;或将溶剂型阻燃胶涂覆于载体一面,然后在胶层上覆离型膜,得到载体结构单面胶;或将溶剂型阻燃胶涂覆于载体双面,然后在胶层上覆离型膜,得到载体结构双面胶;

步骤(1)中所述疏水硅溶胶通过如下方法制备得到:

将氨水滴加入正硅酸乙酯溶液中,搅拌反应后静置老化,得到硅溶胶;然后加入烷基硅烷化合物和异氰酸酯基硅烷化合物进行疏水改性,得到疏水硅溶胶;

所述烷基硅烷化合物为乙基三甲氧基硅烷,乙基三甲氧基硅烷的加入量为正硅酸乙酯质量的1%~10%;所述异氰酸酯基硅烷化合物为异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷,异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷的加入量为正硅酸乙酯质量的0.4%~4%。

2.根据权利要求1所述的一种高膨胀低烟量导热无卤阻燃单双面胶的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述IFR由酸源、炭源和气源构成;所述酸源为次磷酸铝、二乙基次磷酸铝、2-羧乙基苯基次磷酸、DOPO、聚磷酸铵、三聚氰胺聚磷酸盐中的一种或几种;所述炭源为季戊四醇、三嗪大分子成炭剂中的一种或几种;所述气源为三聚氰胺尿酸盐、三聚氰胺聚磷酸盐、聚磷酸铵、三聚氰胺中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的一种高膨胀低烟量导热无卤阻燃单双面胶的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述抑烟剂为氧化钼、氢氧化铝、硼酸锌中的一种或几种;所述导热填料为氧化铝、氮化铝中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的一种高膨胀低烟量导热无卤阻燃单双面胶的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述稀释溶剂为乙酸乙酯、乙酸丁酯中的一种或几种;所述交联剂为多异氰酸酯,交联剂的加入量为丙烯酸酯胶质量的0~2%。

5.根据权利要求1所述的一种高膨胀低烟量导热无卤阻燃单双面胶的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述表面修饰的功能粉料与胶液混合的质量比为30~55:80~100。

6.根据权利要求1所述的一种高膨胀低烟量导热无卤阻燃单双面胶的制备方法,其特征在于,步骤(4)中所述载体为棉纸、聚酯膜、聚酰亚胺膜、芳纶纸、PP膜、PC膜中的任一种。

7.一种高膨胀低烟量导热无卤阻燃单双面胶,其特征在于,通过权利要求1~6任一项所述的方法制备得到。

8.权利要求7所述的一种高膨胀低烟量导热无卤阻燃单双面胶在电子产品粘接中的应用。

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