[发明专利]功率控制方法、装置、控制电路及电子设备

权利要求书

1.一种电子设备，其特征在于，包括壳体、导光件、红外发射装置、光敏元件以及处理器；

所述壳体内部设置有容置空间，所述壳体上设有与所述容置空间导通的导光孔；

所述导光件至少部分位于所述导光孔内；

所述红外发射装置、所述处理器设置于所述容置空间中，所述红外发射装置发射的红外光可通过所述导光件传导至所述壳体外；

所述光敏元件设置在所述导光件上；

所述光敏元件、所述红外发射装置均与所述处理器连接；

其中，所述光敏元件为具有光电导效应的电阻，在所述光敏元件检测到所述红外光的光强度低于预设值的情况下，所述处理器控制所述红外发射装置增大发射功率。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述导光件包括入光面和出光面，所述光敏元件设于所述出光面或所述入光面。

3.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述光敏元件为环状光敏电阻，所述环状光敏电阻设于所述出光面或所述入光面的边缘区域。

4.一种控制电路，其特征在于，应用于如权利要求1至3中任一项所述的电子设备，且所述控制电路包括所述红外发射装置、所述光敏元件、所述处理器、功率调整电路、第一保护电阻、模数转换器和逻辑处理电路；

所述处理器通过所述功率调整电路与所述红外发射装置电连接；

所述光敏元件的第一端与所述第一保护电阻的第一端电连接，所述第一保护电阻的第二端与所述电子设备的第一电压输出端电连接，所述光敏元件的第二端接地；

所述模数转换器的第一输入端与所述光敏元件的第一端电连接，所述模数转换器的第二输入端与所述电子设备的第二电压输出端电连接，所述模数转换器的输出端与所述逻辑处理电路的第一端电连接，所述逻辑处理电路的第二端与所述处理器电连接；

其中，在所述光敏元件检测到所述红外发射装置发射的红外光的光强度低于预设值的情况下，所述处理器控制所述红外发射装置增大发射功率。

5.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，所述功率调整电路包括第一MOS管，所述第一MOS管的源极与所述红外发射装置的第一端电连接，所述第一MOS管的漏极接地，所述第一MOS管的栅极与所述处理器电连接，所述红外发射装置的第二端与所述电子设备的第三电压输出端电连接；

所述处理器通过输出脉冲宽度调整信号调整所述第一MOS管的阻值。

6.根据权利要求5所述的控制电路，其特征在于，所述功率调整电路还包括与所述处理器电连接的第一电压管理单元，所述处理器通过所述第一电压管理单元调整所述红外发射装置的输出电压。

7.根据权利要求5所述的控制电路，其特征在于，所述功率调整电路还包括第二MOS管和与所述处理器电连接的第二电压管理单元，所述第二MOS管的源极与所述第三电压输出端电连接，所述第二MOS管的漏极与所述红外发射装置的第二端电连接，所述第二MOS管的栅极与所述第二电压管理单元电连接；

所述处理器通过调整所述第二电压管理单元的输出电压，并通过所述第二电压管理单元的输出电压调整所述第二MOS管的阻值。

8.一种功率控制方法，其特征在于，应用于如权利要求4至7中任一项所述的控制电路，所述控制电路包括光敏元件、红外发射装置和功率调整电路，所述方法包括：

基于所述光敏元件检测所述红外发射装置发射的红外光的光强度；

在所述光强度低于预设值的情况下，通过所述功率调整电路增大所述红外发射装置的发射功率。

9.一种功率控制装置，其特征在于，包括如权利要求4至7中任一项所述的控制电路，所述控制电路包括光敏元件、红外发射装置和功率调整电路，所述装置包括：

检测模块，用于基于所述光敏元件检测所述红外发射装置发射的红外光的光强度；

控制模块，用于在所述光强度低于预设值的情况下，通过所述功率调整电路增大所述红外发射装置的发射功率。

10.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如权利要求8所述的功率控制方法的步骤。