[发明专利]一种半导体集成电路生产用光刻胶

说明书

本发明提供一种半导体集成电路生产用光刻胶，以光刻胶为100份重量份计，其中至少含有：丙二醇甲醚醋酸酯60‑70份；环已酮20‑30份；γ‑丁内酯0.5‑10份；3‑甲氧基丙酸甲酯1‑10份；光产酸剂0.5‑8份。本发明所提供的光刻胶有较好的灵敏度、稳定性、光敏性、反差效果等。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路生产领域，特别涉及一种半导体集成电路生产光刻胶。

背景技术

光刻胶又称光致抗蚀剂，是利用光化学反应进行图形转移的媒体。光刻胶主要应用于电子工业中集成电路和半导体分立器件的细微加工过程，利用光化学反应，经过曝光，显影将所需的细微图形从掩膜版转移至待加工的基片上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入、金属化等工艺。光刻胶按其曝光光源的不同，可分为紫外光刻胶、深紫外光刻胶、电子束胶、离子束胶、X射线胶等。其中电子束光刻胶，是涂敷在衬底表面用来实现图形传递的物质，通过电子束曝光使得光刻胶层形成所需要的图形，以其分辨率高、性能稳定、功能强大、价格相对低廉成为人们最为关注的光刻技术之一。根据聚合物照射前后发生交联还是化学键断裂，电子束光刻胶分为正性和负性。负性光刻胶有更好的灵敏度，但容易在显影过程中膨胀放大，使得图形失真，且其分辨率比正性光刻胶低。聚甲基丙烯酸甲酯是最常使用的正性电子束光刻胶之一，可以制备分辨率较高的图形，但存在灵敏度较低、不适合干法刻蚀、热稳定性一般等问题。

发明内容

为了解决现有技术问题，本发明提供一种半导体集成电路生产用光刻胶，以光刻胶为100重量份计，其中至少含有：

丙二醇甲醚醋酸酯 60-70份；

环已酮 20-30份；

γ-丁内酯 0.5-10份；

3-甲氧基丙酸甲酯 1-10份。

作为本发明的一种技术方案，还含有光产酸剂0.5-8份。

作为本发明的一种技术方案，所述光产酸剂为三苯基硫鎓三氟磺酸盐、三苯基硫鎓六氟锑酸盐中的一种。

作为本发明优选的一种技术方案，针对短波长光源，所述光产酸剂为不含苯环的硫鎓盐，及式（A）所示的化合物；

（A）

其中，X选自CF₃SO₃或C₄F₉SO中的一种。

作为本发明优选的一种技术方案，所述光刻胶还包括淬火碱、阻溶剂、增塑剂等。

一种如上所述的半导体集成电路生产用光刻胶的使用方法，所述使用方法包括以下步骤：

S1、在环境温度20℃、湿度40%RH的洁净室中，将所述的光刻胶在匀胶机上用3000转/分的转速涂敷在清洗后的硅片上；

S2、将硅片放入90-140℃的烘箱中进行前烘30-40分钟；

S3、取出硅片后在远紫外曝光机上进行曝光5-30秒；

S4、把已曝光的硅片放入100-150℃的烘箱中进行后烘30-40分钟；

S5、用2.38%四甲基氢氧化铵水溶液对硅片显影30-60秒，显影后用洁净的气体将硅片吹干。

附图说明

图1为本发明半导体集成电路生产用光刻胶的使用方法的流程示意图。

具体实施方式

除非另有限定，本文使用的所有技术以及科学术语具有与本发明所属领域普通技术人员通常理解的相同的含义。当存在矛盾时，以本说明书中的定义为准。