[发明专利]一种基于N型局部有源忆阻器的神经元电路在审
| 申请号： | 202111466078.9 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114118396A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王世场;陈帅群;梁燕;卢振洲 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063;G06F30/32 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 局部 有源 忆阻器 神经元 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于N型局部有源忆阻器的神经元电路，其特征在于：由一个N型局部有源忆阻器、一个电感L、一个激励电压源VD组成；激励电压源VD的负极与地相连，正极与电感L的一端连接，电感L的另一端与N型局部有源忆阻器的一端与相连，N型局部有源忆阻器的另一端接地；
所述N型局部有源忆阻器数学模型为：
其中i,v,x分别为流经N型局部有源忆阻器的电流、N型局部有源忆阻器两端的电压和N型局部有源忆阻器的状态变量，GM为忆导函数，d1,d0,τ,α都为常数。
2.根据权利要求一种基于N型局部有源忆阻器的神经元电路，其特征在于：所述的τ＝10-5,α＝9,d1＝10-4,d0＝2.4×10-3。
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