[发明专利]显示面板在审
申请号: | 202111466824.4 | 申请日: | 2021-12-03 |
公开(公告)号: | CN114628455A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 李昭英;李知恩;崔敏姬;金成虎;朴种力;成硕济;成承祐;尹一求 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 李娜;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
本申请涉及显示面板。显示面板包括:第一薄膜晶体管(“TFT”),被布置在基板的显示区域中并且包括包含硅半导体的第一半导体层;第二TFT,连接到第一TFT并且包括包含氧化物半导体的第二半导体层;电压线,连接到第一TFT;以及屏蔽层,被布置在基板与第一半导体层之间并且包括图案和连接线,图案与第一半导体层重叠,连接线从图案延伸,并且与被施加到电压线的电压相同的电压被施加到屏蔽层。
本申请要求于2020年12月9日提交的第10-2020-0171704号韩国专利申请的优先权以及从该韩国专利申请中获得的所有权益,该韩国专利申请的内容通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及显示面板和包括该显示面板的显示装置,并且更具体地,涉及用硅类薄膜晶体管(“TFT”)和氧化物类TFT驱动的显示装置。
背景技术
近来,显示装置的使用被多样化。另外,随着显示装置已经变得更薄和更轻,它们的使用范围正在被逐渐扩大。
由于显示装置被不同地利用,因此在设计显示装置的形状时可以有各种方式。另外,与显示装置组合或相关联的各种功能被增加。
发明内容
一个或多个实施例包括具有降低的功耗和改善的显示质量的显示装置。然而,这样的技术问题是示例,并且本发明不限于此。
附加特征将在下面的描述中被部分地阐述,并且部分地将从描述中显而易见,或者可以通过实践本发明的所呈现的实施例而习得。
在本发明的实施例中,显示面板包括:基板,包括显示区域和围绕显示区域的外围区域;第一薄膜晶体管(“TFT”),被布置在基板的显示区域中并且包括第一半导体层和第一栅电极,第一半导体层包括硅半导体,并且第一栅电极与第一半导体层重叠;第二TFT,连接到第一TFT并且包括第二半导体层和第二栅电极,第二半导体层包括氧化物半导体,并且第二栅电极与第二半导体层重叠;电压线,连接到第一TFT;以及屏蔽层,被布置在基板与第一半导体层之间并且包括图案和连接线,图案与第一半导体层重叠,连接线在列方向上从图案延伸,并且与被施加到电压线的电压相同的电压被施加到屏蔽层。
在实施例中,第二TFT可以连接在第一TFT的第一半导体层与第一栅电极之间。
在实施例中,屏蔽层可以包括金属材料。
在实施例中,显示面板可以进一步包括:第一无机层,在基板与屏蔽层之间;和第二无机层,在屏蔽层与第一半导体层之间。
在实施例中,基板可以包括有机层。
在实施例中,显示面板可以进一步包括:电极层,与第一栅电极重叠并且连接到电压线。
在实施例中,显示面板可以进一步包括:电压供给线,被布置在外围区域中并且连接到屏蔽层。
在本发明的实施例中,显示面板包括:基板,包括显示区域和围绕显示区域的外围区域;第一TFT,被布置在基板的显示区域中并且包括第一半导体层和第一栅电极,第一半导体层包括硅半导体,并且第一栅电极与第一半导体层重叠;第二TFT,连接到第一TFT并且包括第二半导体层和第二栅电极,第二半导体层包括氧化物半导体,并且第二栅电极与第二半导体层重叠;电压线,连接到第一TFT;以及屏蔽层,被布置在基板与第一半导体层之间并且包括图案和连接线,图案与第一半导体层重叠,连接线在行方向上从图案延伸,并且与被施加到电压线的电压相同的电压被施加到屏蔽层。
在实施例中,第二TFT可以连接在第一TFT的第一半导体层与第一栅电极之间。
在实施例中,屏蔽层可以包括金属材料。
在实施例中,显示面板可以进一步包括:第一无机层,在基板与屏蔽层之间;和第二无机层,在屏蔽层与第一半导体层之间。
在实施例中,基板可以包括有机层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的