[发明专利]垂直腔面射型激光及其形成方法在审
申请号: | 202111467206.1 | 申请日: | 2021-12-03 |
公开(公告)号: | CN115133400A | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 杜明昌;赖俊村;简琬庭 | 申请(专利权)人: | 稳懋半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/343 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 周永君;董骁毅 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 腔面射型 激光 及其 形成 方法 | ||
1.一种垂直腔面射型激光,其特征在于,包括:
一主动区,包括:
一第一镜,形成于一基板之上;
一主动区域,形成于所述第一镜之上;
一第二镜,形成于所述主动区域之上;以及
一刻蚀停止层,具有一孔隙,形成于所述主动区域及所述第二镜之间;
一内沟槽,在一上视图中围绕所述主动区;
一外沟槽,形成于所述内沟槽旁边;以及
一第一注入区域,形成于所述内沟槽之下。
2.根据权利要求1所述的垂直腔面射型激光,其特征在于,所述内沟槽的一底表面与所述刻蚀停止层的一顶表面大抵齐平。
3.根据权利要求1所述的垂直腔面射型激光,其特征在于,所述刻蚀停止层包括氧化物。
4.根据权利要求1所述的垂直腔面射型激光,其特征在于,直接位于所述内沟槽之下的所述注入区域的一底表面位于所述第一镜的一顶表面之下。
5.根据权利要求1所述的垂直腔面射型激光,其特征在于,所述外沟槽的一底表面位于所述主动区域的一底表面之下。
6.根据权利要求1所述的垂直腔面射型激光,其特征在于,还包括:
一第二注入区域,形成于所述外沟槽之下。
7.根据权利要求1所述的垂直腔面射型激光,其特征在于,还包括:
一第三注入区域,形成于所述内沟槽及所述外沟槽之间的所述第二镜之中。
8.一垂直腔面射型激光,其特征在于,包括:
一主动区域,夹置于一第一镜及一第二镜之间;
一刻蚀停止层,形成于所述主动区域及所述第二镜之间;
一外沟槽,通过所述第二镜、所述刻蚀停止层、所述主动区域、及所述第一镜;
一内沟槽,通过所述第二镜;
一第一注入区域,形成于所述内沟槽之下;以及
一第二注入区域,形成于所述外沟槽之下;
其中所述内沟槽的一底表面由所述刻蚀停止层定义。
9.根据权利要求8所述的垂直腔面射型激光,其特征在于,所述内沟槽的一深度小于所述外沟槽的一深度。
10.根据权利要求8所述的垂直腔面射型激光,其特征在于,所述第一注入区域的一深度及所述第二注入区域的一深度大抵相同。
11.根据权利要求8所述的垂直腔面射型激光,其特征在于,所述内沟槽及所述外沟槽彼此分离。
12.根据权利要求8所述的垂直腔面射型激光,其特征在于,在一上视图中所述外沟槽包括彼此分离的沟槽段。
13.根据权利要求8所述的垂直腔面射型激光,其特征在于,在一上视图中所述外沟槽为环形。
14.一垂直腔面射型激光的形成方法,其特征在于,包括:
形成一第一镜于一基板之上;
形成一主动区域于所述第一镜之上;
形成一第二镜于所述主动区域之上;
形成一外沟槽于所述第一镜、所述主动区域、及所述第二镜之中;
氧化所述主动区域及所述第二镜之间的一间隔物层以形成一刻蚀停止层;
形成一内沟槽停止于所述刻蚀停止层之上;以及
形成一第一注入区域于所述内沟槽之下。
15.根据权利要求14所述的垂直腔面射型激光的形成方法,其特征在于,所述外沟槽的一底表面由所述第一镜定义。
16.根据权利要求14所述的垂直腔面射型激光的形成方法,其特征在于,当氧化所述间隔物层时,形成一孔隙于所述刻蚀停止层之中。
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